[發(fā)明專利]一種L型聚光光伏電池芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710125585.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106847947A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李利平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都聚合追陽(yáng)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0352 |
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| 地址: | 610207 四川省成都市雙流區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聚光 電池 芯片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光伏發(fā)電部件,具體涉及一種L型聚光光伏電池芯片,屬太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
通常,聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)所尋求的主要益處是在聚光光伏電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽(yáng)光。透鏡的倍數(shù)越高,得到太陽(yáng)光的密度越高,相同面積上使用的聚光光伏電池芯片越少,單位面積上的發(fā)電成本就越低。
目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過(guò)來(lái)的焦斑都為正方形,該焦斑的形狀和大小也通常和聚光光伏電池芯片的形狀和大小一致,從而使菲涅爾透鏡匯聚過(guò)來(lái)的焦斑可以完全匯聚到聚光光伏電池芯片上。但是在實(shí)際應(yīng)用中,聚光光伏電池芯片上的負(fù)電極層總是小于聚光光伏電池基材層,由于聚光光伏電池基材層上的基材材料相對(duì)很貴(一個(gè)平方厘米大小的基材材料大約在50元人民幣左右),這樣就極大浪費(fèi)了聚光光伏電池基材層的基材材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種L型聚光光伏電池芯片,該電池芯片在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種L型聚光光伏電池芯片,其特征是,它包括負(fù)電極層,聚光光伏電池基材層,正電極層和有效面積,所述聚光光伏電池基材層一面覆上負(fù)電極層,另一面覆上正電極層,所述負(fù)電極層之外的部分為有效面積。
所述負(fù)電極層為一平整L字形形狀,負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中兩個(gè)相鄰端面完全重合。
所述聚光光伏電池基材層為GaInP(磷化銦嫁)/GaAs(砷化鎵)/Ge(鍺)三層組合體。
所述正電極層為一完全密封的平面,正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。
所述有效面積為正方形形狀。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量,這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本。
附圖說(shuō)明
圖1為一種L型聚光光伏電池芯片主視圖。
圖2為一種L型聚光光伏電池芯片俯視圖。
其中:1、負(fù)電極層,2、聚光光伏電池基材層,3、正電極層,4、有效面積。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
一種L型聚光光伏電池芯片,如圖1~2所示,包括負(fù)電極層1,聚光光伏電池基材層2,正電極層3和有效面積4,所述聚光光伏電池基材層2一面覆上負(fù)電極層1,另一面覆上正電極層3,所述負(fù)電極層1之外的部分為有效面積4,所述負(fù)電極層1為一平整L字形形狀,負(fù)電極層1和聚光光伏電池基材層2其中兩個(gè)相鄰端面完全重合,這樣就完全利用了聚光光伏電池基材層,從而達(dá)到節(jié)約聚光光伏電池基材層基材材料的目的。
本發(fā)明中,作為變行實(shí)施例,聚光光伏電池芯片的正、負(fù)電極層也可以交換過(guò)來(lái)設(shè)定制作,負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中任意兩個(gè)相鄰端面完全重合,故本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍以權(quán)利要求書限定的范圍為準(zhǔn)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





