[發明專利]一種并聯穩壓電路

有效

• 申請號: 201710122932.7
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN106774601B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 甄少偉;陶金;黃鍇;王康樂;羅萍;賀雅娟;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種并聯穩壓電路，包括第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第一三極管(Q1)、第二三極管(Q2)和第一電容(C1)，

其特征在于，所述第一PMOS管(M1)和第二PMOS管(M2)構成電流鏡，第一PMOS管(M1)的柵極和漏極互連并連接第二PMOS管(M2)的柵極和第一三極管(Q1)的集電極，第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)和第三PMOS管(M3)的源極相連，第一PMOS管(M1)的源極作為所述并聯穩壓電路的輸入端和輸出端，第二PMOS管(M2)的漏極連接第三PMOS管(M3)的柵極和第二三極管(Q2)的集電極；

第一電容(C1)連接在第三PMOS管(M3)的源極和柵極之間，第三PMOS管(M3)的漏極接地；

第一三極管(Q1)的發射極通過第一電阻(R1)和第二電阻(R2)的串聯結構后接地，第一電阻(R1)和第二電阻(R2)的串聯點接第二三極管(Q2)的發射極，第二PMOS管(M2)的源極通過第三電阻(R3)和第四電阻(R4)的串聯結構后接地，第一三極管(Q1)和第二三極管(Q2)的基極相連并連接第三電阻(R3)和第四電阻(R4)的串聯點。