[發明專利]射線探測基板及其制造方法、射線探測裝置

有效

• 申請號: 201710120563.8
• 申請日: 2017-03-02
• 公開（公告）號: CN106910796B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 趙磊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種射線探測基板，其特征在于，所述射線探測基板包括：

襯底基板，

所述襯底基板上設置有薄膜晶體管、陰極圖案和光電二極管；

其中，所述光電二極管包括兩個摻雜層和本征層，所述本征層位于兩個摻雜層之間，所述兩個摻雜層的排布方向平行于所述襯底基板；

所述薄膜晶體管中的漏極圖案包括：平行于所述襯底基板的平板電極和垂直于所述襯底基板的平板電極，且平行于所述襯底基板的平板電極設置在所述襯底基板上，所述光電二極管和垂直于所述襯底基板的平板電極均設置在平行于所述襯底基板的平板電極上，且垂直于所述襯底基板的平板電極與所述光電二極管中的一個摻雜層接觸，所述光電二極管中的另一個摻雜層與所述陰極圖案接觸。

2.根據權利要求1所述的射線探測基板，其特征在于，

設置有所述光電二極管的襯底基板上設置有閃爍層；

設置有所述漏極圖案和所述陰極圖案的襯底基板上設置有所述光電二極管；

其中，所述兩個摻雜層包括第一摻雜層和第二摻雜層，所述第一摻雜層中的自由電子個數小于空穴個數，所述第二摻雜層中的自由電子個數大于空穴個數，所述第一摻雜層與所述陰極圖案相連接，所述第二摻雜層與所述漏極圖案相連接。

3.根據權利要求2所述的射線探測基板，其特征在于，

所述第一摻雜層中靠近所述陰極圖案的區域的離子摻雜濃度大于遠離所述陰極圖案的區域的離子摻雜濃度；

所述第二摻雜層中靠近所述漏極圖案的區域的離子摻雜濃度大于遠離所述漏極圖案的區域的離子摻雜濃度。

4.根據權利要求2或3所述的射線探測基板，其特征在于，

所述襯底基板上依次形成有：源漏極圖案、源漏極絕緣層、所述陰極圖案、所述光電二極管、有源層圖案、柵極絕緣層、柵極圖案、樹脂封裝圖案和所述閃爍層；

其中，所述源漏極圖案包括所述漏極圖案，所述有源層圖案通過所述源漏極絕緣層上的過孔與所述源漏極圖案相連接，所述柵極圖案、所述源漏極圖案、所述有源層圖案、所述源漏極絕緣層和所述柵極絕緣層組成薄膜晶體管。

5.根據權利要求4所述的射線探測基板，其特征在于，

所述有源層圖案在所述襯底基板上的正投影區域位于所述柵極圖案在所述襯底基板上的正投影區域內。

6.根據權利要求4所述的射線探測基板，其特征在于，設置有所述漏極圖案和所述陰極圖案的襯底基板上設置有第一光電二極管、第二光電二極管和第三光電二極管，

所述第一光電二極管靠近所述薄膜晶體管設置，所述第三光電二極管遠離所述薄膜晶體管設置，所述第二光電二極管設置在所述第一光電二極管和所述第三光電二極管之間；

所述第一光電二極管的第一摻雜層和第二摻雜層沿朝向所述第二光電二極管的方向依次設置，所述第二光電二極管的第一摻雜層和第二摻雜層沿朝向所述第一光電二極管的方向依次設置，所述第三光電二極管的第二摻雜層和第一摻雜層沿朝向所述第二光電二極管的方向依次設置；

所述漏極圖案包括第一平板電極、第二平板電極和第三平板電極，所述第一平板電極設置在所述襯底基板上，且平行于所述襯底基板，所述第二平板電極和所述第三平板電極均固定設置在所述第一平板電極上，且均垂直于所述襯底基板，所述第二平板電極位于所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間，所述第三平板電極位于所述第三光電二極管遠離所述第二光電二極管的一側；

所述陰極圖案包括第四平板電極和第五平板電極，所述第四平板電極位于所述第一光電二極管遠離所述第二光電二極管的一側，所述第五平板電極位于所述第二光電二極管與所述第三光電二極管之間。

7.根據權利要求1所述的射線探測基板，其特征在于，

所述射線探測基板為倫琴射線探測基板。