[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201710118392.5
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN107151790B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 傳寶一樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/513;H01L21/02
• 代理公司: 11322 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種基板處理裝置，其對基板供給成膜用的原料氣體，并反復交替地進行原料氣體向基板的吸附和等離子體照射，對每個原子層進行成膜控制，所述基板處理裝置的特征在于，具有：

氣密地收納用于載置基板的載置臺的處理容器；

在所述處理容器內生成等離子體的等離子體源；

供給所述原料氣體的原料氣體供給部；

還原氣體供給部，其供給H₂氣體作為還原氣體，以使得在所述處理容器中在富于H₂的氣氛中進行處理；和

供給等離子體生成用的稀有氣體的稀有氣體供給部，

所述等離子體源包括等離子體生成用的高頻電源，

所述等離子體源包括使要生成的等離子體的鞘電位降低，以使得向所述基板的沉積膜內部注入的H₃⁺離子的能量降低的鞘電位降低機構，

所述鞘電位降低機構是對所述等離子體源中的高頻波形進行波形調制的波形調制機構，

該波形調制機構將所述等離子體源的高頻波形，在波形一個周期的長度中調制成由正負電位一個波長的部分和施加電壓不變化的部分構成的形狀，

在由所述波形調制機構調制出的高頻波形中，通過使所述正負電位一個波長的部分的斜率dV/dt為負，而使鞘的厚度變得比斜率dV/dt為正時的厚度大。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述鞘電位降低機構是以能夠對所述高頻電源疊加施加的方式設置的直流電源。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

由所述直流電源對所述高頻電源施加的電壓為負電壓。

4.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

由所述波形調制機構調制出的高頻波形的所述正負電位一個波長的部分的頻率超過13.56MHz。

5.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述鞘電位降低機構由以能夠對所述高頻電源疊加施加的方式設置的直流電源和對所述等離子體源中的高頻波形進行波形調制的波形調制機構這兩者構成。