[發明專利]一種電化學拋光方法及石墨烯薄膜制備方法在審
| 申請號: | 201710118005.8 | 申請日: | 2017-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN107119313A | 公開(公告)日: | 2017-09-01 |
| 發明(設計)人: | 張志勇;陳誠;閆軍鋒;趙武;許曼章;王英楠;劉成 | 申請(專利權)人: | 西北大學 |
| 主分類號: | C25F7/00 | 分類號: | C25F7/00;C25F3/22;C23C14/02;C23C14/06 |
| 代理公司: | 西安恒泰知識產權代理事務所61216 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 710069 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電化學 拋光 方法 石墨 薄膜 制備 | ||
1.一種電化學拋光方法,所述方法包括以待拋光襯底為陽極,以不溶性金屬為陰極,通電攪拌進行電解,其特征在于,電解采用的電解液包括磷酸、硫酸、去離子水和聚乙二醇的混合液。
2.如權利要求1所述方法,其特征在于,電解液包括體積百分比為30%-35%磷酸、20%-25%硫酸、20%-30%去離子水及15%-20%聚乙二醇,體積百分比之和為100%。
3.如權利要求1所述方法,其特征在于,電解液包括體積百分比為30%磷酸、20%硫酸、30%去離子水及20%聚乙二醇。
4.如權利要求1所述方法,其特征在于,所述待拋光襯底包括Cu,Cu襯底電解時直流電壓為0.4-0.6V,時間為8-12min。
5.如權利要求1所述方法,其特征在于,所述待拋光襯底包括Ni,Ni襯底電解時直流電壓為18-22V,時間為4-6min。
6.如權利要求4或5所述方法,其特征在于,Cu或Ni襯底電解時陰、陽極間距為4-5cm。
7.如權利要求4或5所述方法,其特征在于,Cu或Ni電解時攪拌速度為100-150r/min,溫度為25-30℃。
8.一種電化學拋光平臺,其特征在于,所述電化學拋光平臺包括直流電源、電解容器及攪拌器;直流電源提供電解時的直流電,電解容器盛裝電解液并進行電解拋光,攪拌器用于提供電解時的轉速及電解溫度;電解采用包括權利要求1-3任一所述電解液。
9.一種石墨烯薄膜的制備方法,采用磁控濺射法,其特征在于,采用權利要求4或5所述方法對Cu或Ni襯底進行電化學拋光后放入磁控濺射設備中制備。
10.如權利要求9所述制備方法,其特征在于,磁控濺射的腔室溫度為800-1000℃,腔體內部壓力為0.5Toor。
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