[發(fā)明專利]掩模和使用該掩模形成的半導(dǎo)體裝置的金屬布線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710117177.3
• 申請(qǐng)日: 2017-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN108535951B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鐘錫;金鉉洙;成政勛;李權(quán)宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/00
• 分類號(hào): G03F1/00
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);陳曉博

提供了一種掩模和一種半導(dǎo)體裝置的金屬布線。所述掩模包括：掩模基底，包括單元曝光區(qū)域和外圍曝光區(qū)域，單元曝光區(qū)域構(gòu)造為使半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域中的金屬層曝光，外圍曝光區(qū)域構(gòu)造為使半導(dǎo)體裝置的外圍區(qū)域中的金屬層曝光，第一掩模圖案構(gòu)造為使掩模基底的外圍曝光區(qū)域中的金屬層曝光以形成信號(hào)金屬圖案，第二掩模圖案構(gòu)造為使掩模基底的外圍曝光區(qū)域中的金屬層曝光以形成虛設(shè)金屬圖案，第二掩模圖案與第一掩模圖案相鄰，第二掩模圖案具有與第一掩模圖案的寬度基本相同的寬度。

技術(shù)領(lǐng)域

示例實(shí)施例涉及掩模和/或使用該掩模形成的半導(dǎo)體裝置的金屬布線。更具體地，示例實(shí)施例涉及用于在半導(dǎo)體裝置的外圍區(qū)域中形成金屬布線的掩模，和/或使用該掩模形成的半導(dǎo)體裝置的金屬布線。

背景技術(shù)

通常，可使用掩模通過曝光工藝形成半導(dǎo)體裝置的金屬布線。金屬布線可布置在半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域和外圍區(qū)域中。外圍區(qū)域中的金屬布線之間的節(jié)距可比單元區(qū)域中的金屬布線之間的節(jié)距寬。另外，單元區(qū)域中的金屬布線可具有均勻的間距。相反，外圍區(qū)域中的金屬布線可具有各種不同的間距。隨著半導(dǎo)體裝置的金屬布線之間的節(jié)距變窄，已經(jīng)使用離軸照明(off-axis?illumination)的曝光工藝來(lái)形成節(jié)距窄的金屬布線。

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，離軸照明可具有與單元區(qū)域中的金屬布線之間的節(jié)距對(duì)應(yīng)的焦點(diǎn)。相反，離軸照明的焦點(diǎn)可不對(duì)應(yīng)于外圍區(qū)域中的金屬布線之間的節(jié)距(或多種節(jié)距)。因此，使用離軸照明形成在外圍區(qū)域中的金屬布線可能不具有期望的形狀或圖案。例如，外圍區(qū)域中的金屬布線會(huì)具有比設(shè)計(jì)尺寸大的尺寸，從而被連接至相鄰的金屬布線。相反，外圍區(qū)域中的金屬布線會(huì)具有比設(shè)計(jì)尺寸小的尺寸，從而導(dǎo)致金屬布線被切斷。

發(fā)明內(nèi)容

一些示例實(shí)施例提供一種掩模，所述掩模能夠在外圍區(qū)域中精確地形成具有設(shè)計(jì)尺寸的金屬布線。

一些示例實(shí)施例還提供使用上述掩模的半導(dǎo)體裝置的金屬布線。

根據(jù)示例實(shí)施例，掩模包括：掩模基底，包括單元曝光區(qū)域和外圍曝光區(qū)域，單元曝光區(qū)域構(gòu)造為使半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域中的金屬層曝光，外圍曝光區(qū)域構(gòu)造為使半導(dǎo)體裝置的外圍區(qū)域中的金屬層曝光，第一掩模圖案構(gòu)造為使掩模基底的外圍曝光區(qū)域中的金屬層曝光以形成信號(hào)金屬圖案，第二掩模圖案構(gòu)造為使掩模基底的外圍曝光區(qū)域中的金屬層曝光以形成虛設(shè)金屬圖案，第二掩模圖案與第一掩模圖案相鄰，第二掩模圖案具有與第一掩模圖案的寬度基本相同的寬度。

在一些示例實(shí)施例中，第二掩模圖案可具有沿直線與第一掩模圖案的中心線重合的中心線。

在一些示例實(shí)施例中，掩模可包括第一掩模圖案組，第一掩模圖案組可包括布置在直線上的多個(gè)第一掩模圖案，第二掩模圖案可沿所述直線位于所述多個(gè)第一掩模圖案之間，第二掩模圖案和所述多個(gè)第一掩模圖案中的一個(gè)第一掩模圖案之間的距離可與第二掩模圖案和所述多個(gè)第一掩模圖案中的另一個(gè)第一掩模圖案之間的距離基本相同。

在一些示例實(shí)施例中，所述多個(gè)第一掩模圖案的中心線和第二掩模圖案的中心線可沿所述直線彼此重合。

在一些示例實(shí)施例中，掩模可包括第一掩模圖案組，第一掩模圖案組可包括彼此平行的多個(gè)第一掩模圖案，第二掩模圖案可平行于所述多個(gè)第一掩模圖案并位于所述多個(gè)第一掩模圖案之間，第二掩模圖案和所述多個(gè)第一掩模圖案中的一個(gè)第一掩模圖案之間的距離可與第二掩模圖案和所述多個(gè)第一掩模圖案中的另一個(gè)第一掩模圖案之間的距離基本相同。

在一些示例實(shí)施例中，第二掩模圖案和所述多個(gè)第一掩模圖案中的所述一個(gè)第一掩模圖案之間的距離可與單元曝光區(qū)域中相鄰的掩模圖案之間的距離基本相同。

在一些示例實(shí)施例中，所述多個(gè)第一掩模圖案可具有不同的寬度，第二掩模圖案可具有與所述多個(gè)第一掩模圖案的寬度中的最短的寬度基本相同的寬度。