[發明專利]掩模和使用該掩模形成的半導體裝置的金屬布線

有效

• 申請號: 201710117177.3
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN108535951B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 林鐘錫;金鉉洙;成政勛;李權宰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;陳曉博

1.一種掩模，所述掩模包括：

掩模基底，包括單元曝光區域和外圍曝光區域，單元曝光區域構造為使半導體裝置的單元區域中的金屬層曝光，外圍曝光區域構造為使半導體裝置的外圍區域中的金屬層曝光；

第一掩模圖案，包括第一子掩模圖案、第二子掩模圖案和第三子掩模圖案，第一子掩模圖案、第二子掩模圖案和第三子掩模圖案被構造為使掩模基底的外圍曝光區域中的金屬層曝光以形成第一信號金屬圖案、第二信號金屬圖案和第三信號金屬圖案，第一子掩模圖案、第二子掩模圖案和第三子掩模圖案在第一方向上延展并且在與第一方向垂直的第二方向上布置；

第二掩模圖案，構造為使掩模基底的外圍曝光區域中的金屬層曝光以形成虛設金屬圖案，第二掩模圖案在第一方向上與第二子掩模圖案相鄰且間隙位于第二掩模圖案與第二子掩模圖案之間，第二掩模圖案在第二方向上位于第一子掩模圖案與第三子掩模圖案之間，并且第二子掩模圖案具有與第二掩模圖案的寬度基本相同的寬度，

其中，第一掩模圖案和第二掩模圖案包括開口，開口用于形成第一信號金屬圖案、第二信號金屬圖案、第三信號金屬圖案和虛設金屬圖案的光經過。

2.根據權利要求1所述的掩模，其中，第二掩模圖案具有沿直線與第二子掩模圖案的第二中心線重合的第一中心線。

3.根據權利要求1所述的掩模，還包括：

另一個第二子掩模圖案，第二子掩模圖案和所述另一個第二子掩模圖案布置在直線上；

其中，第二掩模圖案沿所述直線位于第二子掩模圖案與所述另一個第二子掩模圖案之間；并且

第二掩模圖案和第二子掩模圖案之間的第一距離與第二掩模圖案和所述另一個第二子掩模圖案之間的第二距離基本相同。

4.根據權利要求3所述的掩模，其中，沿第一方向的第二子掩模圖案的第一中心線和所述另一個第二子掩模圖案的第二中心線以及第二掩模圖案的第三中心線沿在第一方向上的所述直線彼此重合。

5.根據權利要求1所述的掩模，其中：

第一子掩模圖案、第二子掩模圖案和第三子掩模圖案在第一方向上延伸并且彼此平行；

第二掩模圖案在第一方向上延伸并且在第二方向上位于第一子掩模圖案與第三子掩模圖案之間；并且

第二掩模圖案和第一子掩模圖案之間的第一距離與第二掩模圖案和第三子掩模圖案之間的第二距離基本相同。

6.根據權利要求5所述的掩模，其中，第一距離與單元曝光區域中的相鄰掩模圖案之間的第三距離基本相同。

7.根據權利要求5所述的掩模，其中，包括在第一掩模圖案中的第一子掩模圖案、第二子掩模圖案和第三子掩模圖案中的至少兩者具有不同的寬度，第二掩模圖案具有與所述不同的寬度中的最短的一個寬度基本相同的寬度。

8.根據權利要求5所述的掩模，還包括：

另一個第一掩模圖案，包括另一個第一子掩模圖案，另一個第二子掩模圖案和另一個第三子掩模圖案；

另一個第二掩模圖案，平行于第二掩模圖案，并且在所述另一個第一子掩模圖案、所述另一個第二子掩模圖案和所述另一個第三子掩模圖案之間；

所述另一個第二掩模圖案與所述另一個第一子掩模圖案之間的第三距離與第一距離基本相同。

9.根據權利要求1所述的掩模，其中，第一子掩模圖案和第三子掩模圖案中的每者具有在第一方向上的橫向長度，橫向長度對應于第二掩模圖案的第一長度、第二子掩模圖案的第二長度以及位于第二掩模圖案與第二子掩模圖案之間的間隙的距離之總和。