[發(fā)明專利]光掩模的制造方法、光掩模和顯示裝置的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710112538.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107844026A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金臺(tái)勛;李錫薰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | HOYA株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/70 | 分類號(hào): | G03F1/70;G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人: | 龐東成,孟偉青 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 制造 方法 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于制造電子器件的光掩模,特別是在以液晶面板、有機(jī)EL(電致發(fā)光)面板為代表的顯示裝置(平板顯示器)的制造中有用的光掩模及其制造方法、以及使用了該光掩模的顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)
專利文獻(xiàn)1中記載了關(guān)于多灰度光掩模的技術(shù),該多灰度光掩模在透明基板上形成有包含遮光部、半透光部和透光部的轉(zhuǎn)印用圖案,能夠在被轉(zhuǎn)印體上形成具有陡峭的豎立形狀的抗蝕劑圖案
圖6是示出專利文獻(xiàn)1中記載的多灰度光掩模的構(gòu)成的側(cè)剖視圖。
該多灰度光掩模200具備包含遮光部110、半透光部115和透光部120的轉(zhuǎn)印用圖案。遮光部110通過在透明基板100上依次層疊半透光膜101、相移調(diào)整膜102、和遮光膜103而成。半透光部115通過在透明基板100上形成半透光膜101而成。透光部120通過透明基板100露出而成。在遮光部110與透光部120的邊界形成有半透光膜101上的相移調(diào)整膜102部分露出而成的第1移相器部111,在遮光部110與半透光部115的邊界形成有半透光膜101上的相移調(diào)整膜102部分露出而成的第2移相器部112。
在上述的多灰度光掩模200中,透過透光部120的曝光光和透過第1移相器部111的曝光光發(fā)生干涉,并且,透過半透光部115的曝光光和透過第2移相器部112的曝光光發(fā)生干涉。由此,邊界部分的曝光光相互消除。因此,能夠使在被轉(zhuǎn)印體上形成的抗蝕劑圖案的側(cè)壁為陡峭的豎立形狀。
圖7是示出專利文獻(xiàn)1中記載的多灰度光掩模的制造工序的側(cè)剖視圖。
(光掩模坯準(zhǔn)備工序)
首先,準(zhǔn)備光掩模坯20,該光掩模坯20中,在透明基板100上依次形成有半透光膜101、相移調(diào)整膜102、遮光膜103,在最上層形成有第1抗蝕劑膜104(圖7(a))。
(第1抗蝕劑圖案形成工序)
接著,對(duì)光掩模坯20實(shí)施繪圖、顯影,形成覆蓋遮光部110(圖6)的形成區(qū)域的第1抗蝕劑圖案104p。
(第1蝕刻工序)
接著,將第1抗蝕劑圖案104p作為掩模,對(duì)遮光膜103進(jìn)行蝕刻,形成遮光膜圖案103p(圖7(b))。
(第2抗蝕劑膜形成工序)
接著,將第1抗蝕劑圖案104p除去,之后在具有遮光膜圖案103p和露出的相移調(diào)整膜102的光掩模坯20上的整個(gè)面形成第2抗蝕劑膜105。
(第2抗蝕劑圖案形成工序)
接著,對(duì)第2抗蝕劑膜105進(jìn)行繪圖、顯影,形成分別覆蓋遮光部110的形成區(qū)域、位于遮光部110與透光部120的邊界部分的第1移相器部111的形成區(qū)域、和位于遮光部110與半透光部115的邊界部分的第2移相器部112的形成區(qū)域的第2抗蝕劑圖案105p(圖6、圖7(c))。
(第2蝕刻工序)
接著,將第2抗蝕劑圖案105p作為掩模,對(duì)相移調(diào)整膜102進(jìn)行蝕刻而形成相移調(diào)整膜圖案102p,并且形成半透光部115、第1移相器部111和第2移相器部112(圖6、圖7(d))。
(第3抗蝕劑膜形成工序)
接著,將第2抗蝕劑圖案105p除去,之后在具有遮光膜圖案103p、相移調(diào)整膜圖案102p、露出的半透光膜101的光掩模坯20上的整個(gè)面形成第3抗蝕劑膜106。
(第3抗蝕劑圖案形成工序)
接著,對(duì)第3抗蝕劑膜106進(jìn)行繪圖、顯影,形成覆蓋除透光部120的形成區(qū)域以外的區(qū)域的第3抗蝕劑圖案106p(圖7(e))。
(第3蝕刻工序)
接著,將第3抗蝕劑圖案106p作為掩模,對(duì)半透光膜101進(jìn)行蝕刻而形成半透光膜圖案101p,并且使透明基板100部分露出而形成透光部120(圖6、圖7(f))。
(第3抗蝕劑圖案除去工序)
接著,將第3抗蝕劑圖案106p除去,完成多灰度光掩模200的制造(圖7(g))。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2011-215614號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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