[發明專利]光掩模的制造方法、光掩模和顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201710112538.5 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN107844026A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 金臺勛;李錫薰 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/70 | 分類號: | G03F1/70;G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 龐東成,孟偉青 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,該顯示裝置制造用光掩模具備在透明基板上第1光學膜和第2光學膜分別被圖案化而形成的轉印用圖案;所述轉印用圖案包含:所述透明基板的表面露出的透光部、具有與所述透光部相鄰的部分的第1透過控制部、和具有與所述第1透過控制部相鄰的部分的第2透過控制部;在所述第1透過控制部具有形成于所述透明基板上的所述第1光學膜,在所述第2透過控制部具有形成于所述透明基板上的所述第2光學膜,
該制造方法包括下述工序:
準備在所述透明基板上形成有所述第1光學膜和第1抗蝕劑膜的光掩模坯的工序;
對所述第1抗蝕劑膜進行第1繪圖而形成第1抗蝕劑圖案的第1抗蝕劑圖案形成工序;
將所述第1抗蝕劑圖案作為掩模,對所述第1光學膜進行蝕刻而形成第1光學膜圖案的第1圖案化工序;
在包含所述第1光學膜圖案的所述透明基板上形成所述第2光學膜的工序;
在所述第2光學膜上形成第2抗蝕劑膜并進行第2繪圖,形成第2抗蝕劑圖案的第2抗蝕劑圖案形成工序;和
將所述第2抗蝕劑圖案作為掩模,對所述第2光學膜進行蝕刻而形成第2光學膜圖案的第2圖案化工序,
在所述第1圖案化工序中,僅對所述第1光學膜進行蝕刻,
在所述第2圖案化工序中,僅對所述第2光學膜進行蝕刻,并且,
所述第2抗蝕劑圖案具有下述尺寸:覆蓋所述第2透過控制部的形成區域,并且在所述第2透過控制部的邊緣在相鄰的所述第1透過控制部側加上了特定寬度的裕量。
2.如權利要求1所述的顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,
所述第1光學膜包含Cr,
所述第2光學膜包含Si、Mo、Ni、Ta、Zr、Al、Ti、Nb、Hf中的任一種。
3.一種顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,該顯示裝置制造用光掩模具備在透明基板上第1光學膜和第2光學膜分別被圖案化而形成的轉印用圖案;所述轉印用圖案包含:所述透明基板的表面露出的透光部、具有與所述透光部相鄰的部分的第1透過控制部、和具有與所述第1透過控制部相鄰的部分的第2透過控制部;在所述第1透過控制部具有形成于所述透明基板上的所述第1光學膜,在所述第2透過控制部具有形成于所述透明基板上的所述第2光學膜,
該制造方法包括下述工序:
準備在所述透明基板上形成有所述第1光學膜、蝕刻掩模膜、和第1抗蝕劑膜的光掩模坯的工序;
對所述第1抗蝕劑膜進行第1繪圖而形成第1抗蝕劑圖案的第1抗蝕劑圖案形成工序;
將所述第1抗蝕劑圖案作為掩模,對所述蝕刻掩模膜進行蝕刻而形成蝕刻掩模膜圖案的工序;
將所述蝕刻掩模膜圖案作為掩模對所述第1光學膜進行蝕刻而形成第1光學膜圖案的第1圖案化工序;
將所述蝕刻掩模膜圖案除去的工序;
在包含所述第1光學膜圖案的所述透明基板上形成所述第2光學膜的工序;
在所述第2光學膜上形成第2抗蝕劑膜并進行第2繪圖,形成第2抗蝕劑圖案的第2抗蝕劑圖案形成工序;和
將所述第2抗蝕劑圖案作為掩模,對所述第2光學膜進行蝕刻而形成第2光學膜圖案的第2圖案化工序,
在所述第1圖案化工序中,僅對所述第1光學膜進行蝕刻,
在所述第2圖案化工序中,僅對所述第2光學膜進行蝕刻,并且,
所述第2抗蝕劑圖案具有下述尺寸:覆蓋所述第2透過控制部的形成區域,并且在所述第2透過控制部的邊緣在相鄰的所述第1透過控制部側加上了特定寬度的裕量。
4.如權利要求3所述的顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,
所述第1光學膜包含Si、Mo、Ni、Ta、Zr、Al、Ti、Nb、Hf中的任一種,
所述第2光學膜包含Cr。
5.如權利要求1~4中任一項所述的顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,所述第1光學膜和所述第2光學膜對于對方的蝕刻劑具有耐性。
6.如權利要求1~4中任一項所述的顯示裝置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,相對于在所述顯示裝置制造用光掩模的曝光中所用的曝光光的代表波長光,將所述第1光學膜的透光率設為T1(%)、相移量設為φ1(度)時,滿足
2≤T1≤10
150≤φ1≤210。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





