[發(fā)明專利]具有可焊接的電接觸部的芯片嵌入封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710111317.6
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN107134441B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設計）人: T·沙夫;S·霍爾丹;T·齊格勒;W·舍貝爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種封裝體(100)，包括：

·電子芯片(102)；

·至少部分地包封所述電子芯片(102)的層合型包封材料(104)；

·從所述電子芯片(102)延伸至由銅制成的接觸焊盤(156)的布線結構(160)；

·完全電鍍形成的可焊接的外部電接觸部(106)，所述電接觸部(106)通過直接布置在所述接觸焊盤(156)之上而與所述電子芯片(102)電耦接，

其中，所述電接觸部包括以下組中的一種或由以下組中的一種組成：鎳和錫、鎳和鉛錫、鎳和金、鎳和磷、僅鎳，

·電絕緣阻焊結構，

其中，阻焊結構形成在至少包括所述布線結構的核心部分上，

其中，阻焊結構包括腔，

其中，所述接觸焊盤與布線結構連接地形成在所述腔內，

其中，所述可焊接的外部電接觸部電鍍地填充在所述腔中，至少使得所述電接觸部的平坦的外表面與所述阻焊結構的平坦的外表面齊平，且完全電鍍形成的可焊接的外部電接觸部在腔內直接布置在接觸焊盤上。

2.根據(jù)權利要求1所述的封裝體(100)，其中，所述電接觸部(106)被形成為疊層，所述疊層至少由內層(200)和外層(202)組成。

3.根據(jù)權利要求1所述的封裝體(100)，其中，所述電接觸部(106)被形成為疊層，所述疊層由內層(200)和外層(202)組成。

4.根據(jù)權利要求2所述的封裝體(100)，其中，所述外層(202)包括以下組中的一種或由以下組中的一種組成：錫、錫和鉛、錫和銀。

5.根據(jù)權利要求2或4所述的封裝體(100)，其中，所述內層(200)包括以下組中的一種或由以下組中的一種組成：鎳、鎳和磷。

6.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的封裝體(100)，其中，所述電接觸部(106)具有1μm至30μm之間的厚度。

7.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的封裝體(100)，其中，所述電接觸部(106)具有5μm至20μm之間的厚度。

8.一種封裝體(100)，包括：

·電子芯片(102)；

·至少部分地包封所述電子芯片(102)的層合型包封材料(104)；

·通過由銅制成的接觸焊盤與所述電子芯片(102)直接電耦接的可焊接的外部電接觸部(106)，所述電接觸部(106)包括直接在第二電鍍形成層(200)之上的第一電鍍形成層(202)，并且具有大致平坦的外表面，

其中，所述電接觸部包括以下組中的一種或由以下組中的一種組成：鎳和錫、鎳和鉛錫、鎳和金、鎳和磷、僅鎳，

·電絕緣阻焊結構，

其中，阻焊結構形成在至少包括布線結構的核心部分上，

其中，阻焊結構包括腔，

其中，所述接觸焊盤與布線結構連接地形成在所述腔內，

其中，所述第一電鍍形成層和第二電鍍形成層電鍍地填充在所述腔中，至少使得所述電接觸部的平坦的外表面與所述阻焊結構的平坦的外表面齊平，且完全電鍍形成的可焊接的外部電接觸部在腔內直接布置在接觸焊盤上。

9.根據(jù)權利要求8所述的封裝體(100)，其中，所述第一電鍍形成層(202)是電鍍形成的錫層(202)。

10.根據(jù)權利要求8或9所述的封裝體(100)，其中，所述第二電鍍形成層(200)是電鍍形成的鎳層(200)。

11.根據(jù)權利要求8或9所述的封裝體(100)，其中，所述電接觸部(106)在豎直方向上延伸超過所述外表面處的阻焊結構(206)。