[發明專利]記憶體測試方法

有效

• 申請號: 201710103791.4
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN108511030B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 余俊锜;張志偉;黃勝國
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C29/48
• 分類號: G11C29/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種記憶體測試方法，包含下列步驟。使記憶體控制器對記憶體模組進行資料寫入及讀取。當讀取的資料數目不符時，校準資料觸發致能訊號。再次進行資料讀取，當資料讀取內容包含小于或等于一筆負緣資料讀取內容時，觸發取樣單元。資料讀取數目增加時，判斷未接收到資料觸發訊號。資料讀取數目未增加時，檢查記憶體控制器。當資料讀取內容包含大于一筆負緣資料讀取內容時，檢查記憶體模組的突發模式設定。當資料數目相符但內容不符時，檢查記憶體控制器的傳送模組設定及檢查取樣單元。當資料數目相符且內容相符時，結束測試。

技術領域

本發明是有關于一種測試技術，且特別是有關于一種記憶體測試方法。

背景技術

現在的電路設計常采用多晶片模組(multi-chip module；MCM)的封裝技術，以在一個封裝內容納兩個或兩個以上的裸晶。但是這樣的封裝技術并無法以探針量測多晶片模組內的記憶體裝置的波形。部分量測技術采用聚焦離子束(focus ion beam；FIB)來擷取訊號。但是使用一次聚焦離子束技術能觀察的訊號數目有限，并且并非所有訊號都可以經由聚焦離子束技術擷取。

因此，如何設計一個新的記憶體裝置及其記憶體測試方法，以在不使用探針及聚焦離子束技術的情形下對記憶體裝置進行測試，在其記憶體模組無法讀取時找出原因，乃為此一業界亟待解決的問題。

發明內容

因此，本發明之一態樣是在提供一種記憶體測試方法，應用于記憶體裝置中，其中該記憶體裝置包含記憶體控制器以及記憶體模組。記憶體測試方法包含下列步驟。使記憶體控制器根據資料寫入內容對記憶體模組進行資料寫入后，再自記憶體模組接收資料觸發訊號以及資料訊號，以在突發(burst)模式下使取樣單元根據資料觸發訊號的正緣以及負緣取樣資料訊號，俾進行資料讀取產生資料讀取內容；比較資料寫入內容以及資料讀取內容，當資料讀取內容的資料數目與突發模式不符時，對資料觸發致能訊號進行時序校準，俾對應于資料觸發訊號的前置區段，其中資料觸發致能訊號用以致能資料觸發訊號的輸入；再次進行資料讀取，當資料讀取內容的資料數目與突發模式不符且資料讀取內容包含小于或等于一筆負緣資料讀取內容時，由記憶體控制器觸發取樣單元取樣資料訊號，俾于資料讀取數目增加時，判斷記憶體控制器實際上并未接收到資料觸發訊號，且于資料讀取數目并未增加時，檢查記憶體控制器的設定；當資料讀取內容的資料數目與突發模式不符且資料讀取內容包含大于一筆負緣資料讀取內容時，檢查記憶體模組對突發模式的設定；當資料讀取內容的資料數目與突發模式相符但內容不符時，檢查記憶體控制器的傳送模組的設定以及檢查取樣單元的運作，且當資料讀取內容的資料數目與突發模式相符且內容與資料寫入內容相符時，結束測試。

應用本發明的優點在于本發明的記憶體測試方法可藉由資料觸發致能訊號的時序校準以及取樣單元的觸發，在記憶體模組無法順利讀取時，迅速找出原因，而不需要額外以探針進行訊號傳輸的測試。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中，一種記憶體裝置的方塊圖；

圖2為本發明一實施例中，一種記憶體測試方法的流程圖；

圖3為本發明一實施例中，記憶體模組以及記憶體控制器間傳遞的訊號的波形圖；以及

圖4為本發明一實施例中，資料觸發致能訊號以及資料觸發訊號在進行時序校準時的波形圖。

【符號說明】

1：記憶體裝置

10：記憶體模組

12：記憶體控制器

120：傳送模組

122：接收模組

124：處理模組

130：資料觸發致能單元

131：資料觸發閘控單元