[發明專利]記憶體測試方法

有效

• 申請號: 201710103791.4
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN108511030B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 余俊锜;張志偉;黃勝國
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C29/48
• 分類號: G11C29/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種記憶體測試方法，應用于一記憶體裝置中，其中該記憶體裝置包含一記憶體控制器以及一記憶體模組，該記憶體測試方法包含：

使該記憶體控制器根據一資料寫入內容對該記憶體模組進行一資料寫入后，再自該記憶體模組接收一資料觸發訊號以及一資料訊號，以在一突發(burst)模式下使一取樣單元根據該資料觸發訊號的一正緣以及一負緣取樣該資料訊號，俾進行一資料讀取產生一資料讀取內容，其中，根據該負緣每進行一次取樣該資料訊號產生一筆的一負緣資料讀取內容；

比較該資料寫入內容以及該資料讀取內容，當該資料讀取內容的資料數目與該突發模式不符時，對一資料觸發致能訊號進行一時序校準，俾對應于該資料觸發訊號的一前置區段，其中該資料觸發致能訊號用以致能該資料觸發訊號的輸入；

在該時序校準之后，再次進行該資料讀取，當該資料讀取內容的資料數目與該突發模式不符且該資料讀取內容包含小于或等于一筆的負緣資料讀取內容時，由該記憶體控制器觸發該取樣單元取樣該資料訊號，俾于該資料讀取數目增加時，判斷該記憶體控制器實際上并未接收到該資料觸發訊號，且于該資料讀取數目并未增加時，檢查該記憶體控制器的設定；

當再次進行該資料讀取的該資料讀取內容的資料數目與該突發模式不符且資料讀取內容包含大于一筆的該負緣資料讀取內容時，檢查該記憶體模組對該突發模式的設定；

當再次進行該資料讀取的該資料讀取內容的資料數目與該突發模式相符但內容不符時，檢查該記憶體控制器的一傳送模組的設定以及檢查該取樣單元的運作，且當該資料讀取內容的資料數目與該突發模式相符且內容與該資料寫入內容相符時，結束測試。

2.根據權利要求1所述的記憶體測試方法，其中該記憶體測試方法更包含：在第一次進行該資料讀取后，當該資料讀取內容的該資料讀取數目與該突發模式相符且內容與該資料寫入內容不符時，

對該資料觸發致能訊號進行該時序校準，俾對應于該資料觸發訊號的該前置區段；

再次進行該資料讀取，當該資料讀取內容與該資料寫入內容仍然不符時，檢查該傳送模組的設定以及檢查該取樣單元的運作，且當該資料讀取內容與該資料寫入內容相符時，結束測試。

3.根據權利要求1所述的記憶體測試方法，其中該記憶體控制器分別由一資料觸發端口以及一資料端口自該記憶體模組接收該資料觸發訊號以及該資料訊號。

4.根據權利要求3所述的記憶體測試方法，其中當該資料讀取內容包含一筆的該負緣資料讀取內容時，該記憶體控制器控制該資料觸發端口為低態，以觸發該取樣單元，當該資料讀取內容包含小于一筆的該負緣資料讀取內容時，該記憶體控制器控制該資料觸發端口為高態，以觸發該取樣單元。

5.根據權利要求4所述的記憶體測試方法，其中該記憶體控制器包含一終端電阻校準電路，電性耦接于該資料觸發端口，以控制該資料觸發端口為低態或為高態。

6.根據權利要求1所述的記憶體測試方法，更包含：

根據該資料觸發訊號的該正緣取樣該資料訊號，以儲存一正緣資料讀取內容于一正緣資料讀取內容儲存單元；以及

根據該資料觸發訊號的該正緣取樣該資料訊號，以儲存該負緣資料讀取內容于一負緣資料讀取內容儲存單元。

7.根據權利要求1所述的記憶體測試方法，其中該突發模式為四筆突發(burst4)模式或八筆突發(burst8)模式。

8.根據權利要求1所述的記憶體測試方法，其中該記憶體模組為一雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(doubledata rate synchronous dynamic random access memory；DDRSDRAM)。