[發(fā)明專(zhuān)利]非接觸式半導(dǎo)體晶片測(cè)厚裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710098357.1
• 申請(qǐng)日: 2017-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106989679A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶蒙;曹建國(guó);朱朋哲;李建勇;樊文剛;劉月明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01B11/06
• 分類(lèi)號(hào): G01B11/06
• 代理公司: 北京市商泰律師事務(wù)所11255
• 代理人: 黃曉軍

1.一種非接觸式半導(dǎo)體晶片測(cè)厚裝置，其特征在于，包括：試件托盤(pán)、托盤(pán)平移絲杠、底座、試件旋轉(zhuǎn)電機(jī)和激光位移傳感器；

所述底座固定在測(cè)量臺(tái)面上，所述托盤(pán)平移絲杠布置在底座上，被測(cè)晶片或陶瓷盤(pán)放置在所述試件托盤(pán)上，所述試件托盤(pán)與所述托盤(pán)平移絲杠、所述試件旋轉(zhuǎn)電機(jī)連接，所述托盤(pán)平移絲杠帶動(dòng)所述試件托盤(pán)平行移動(dòng)，所述試件旋轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)所述試件托盤(pán)旋轉(zhuǎn)；

所述激光位移傳感器設(shè)置在所述試件托盤(pán)的上方，所述激光位移傳感器測(cè)量被測(cè)晶片或陶瓷盤(pán)上的晶片至測(cè)量基準(zhǔn)面之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：定位CCD；

所述定位CCD設(shè)置在所述試件托盤(pán)的上方，采集所述被測(cè)晶片或陶瓷盤(pán)的圖像信息，根據(jù)所述圖像信息確定所述被測(cè)晶片或陶瓷盤(pán)的位置信息。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述試件托盤(pán)的上方和下發(fā)分別設(shè)置一個(gè)點(diǎn)激光位移傳感器，上下兩個(gè)點(diǎn)激光位移傳感器的測(cè)量點(diǎn)連線垂直于所述試件托盤(pán)平面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，上下兩個(gè)點(diǎn)激光位移傳感器之間通過(guò)傳感器調(diào)距絲桿連接，通過(guò)所述傳感器調(diào)距絲桿調(diào)節(jié)所述上下兩個(gè)點(diǎn)激光位移傳感器之間的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述試件托盤(pán)為圓柱形，所述試件托盤(pán)的上表面設(shè)置放置陶瓷盤(pán)的凹槽和放置晶片的圓孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，多個(gè)所述圓孔環(huán)繞所述試件托盤(pán)的上表面的圓心等間距設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，上下兩個(gè)點(diǎn)激光位移傳感器分別設(shè)置在放置晶片的圓孔的兩側(cè)，利用所述上下兩個(gè)激光位移傳感器的測(cè)量差獲取所述晶片的厚度。