[發明專利]用于OLED封裝結構的有機材料和無機材料的整合方法

在審

• 申請號: 201710096978.6
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN107134541A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: J·J·陳;崔壽永;H·諾米南達;吳文豪
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種增強設置在基板上的膜結構中的界面粘附和整合的方法，所述方法包括：

在處理腔室中在設置在基板上的無機層上執行等離子體處理工藝，以在所述基板上形成處理層，其中所述基板包括OLED結構；

將基板溫度控制為低于約100攝氏度；以及

在所述處理層上形成有機層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述有機層選自由以下各項組成的組：聚丙烯酸酯、聚對二甲苯、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯的共聚物、全氟烷氧基共聚物樹脂、乙烯和四氟乙烯的共聚物、聚對二甲苯。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述無機層是氮化硅層或氧化硅層。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述處理層前，在所述無機層上形成界面增強層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述界面增強層是由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成的無機層。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，當所述無機層是氮化硅層時，所述界面增強層是氮氧化硅層。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理工藝進一步包括：

供應包括含氧氣體的氣體混合物以處理所述無機層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述含氧氣體是臭氧、O₂或N₂O。

9.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述有機層上形成界面增強層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述界面增強層是氮化硅層或氮氧化硅層。

11.如權利要求9所述的方法，進一步包括：

在所述界面增強層上形成額外無機層。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理工藝包括電子束處理工藝。

13.一種用于OLED應用的封裝結構，所述封裝結構包括：

無機層，所述無機層形成在基板上的OLED結構上；

電子束處理層，所述電子束處理層形成在所述無機層上；以及

有機層，所述有機層形成在所述電子束處理層上。

14.如權利要求13所述的結構，進一步包括：

界面增強層，所述界面增強層設置在所述無機層與所述電子束處理層之間。

15.如權利要求13所述的結構，進一步包括：

界面增強層，所述界面增強層設置在所述有機層上。

16.如權利要求15所述的結構，進一步包括：

額外無機層，所述額外無機層設置在所述界面增強層上。

17.如權利要求15所述的結構，其特征在于，當所述額外無機層是氮化硅層時，所述界面增強層是氮氧化硅層。

18.如權利要求14所述的結構，其特征在于，當所述無機層是氮化硅層時，所述界面增強層是氮氧化硅層。

19.如權利要求13所述的結構，其特征在于，所述電子束處理層通過臭氧電子束處理工藝形成。

20.一種用于OLED應用的封裝結構，所述封裝結構包括：

第一無機層，所述第一無機層設置成與OLED結構直接接觸；

第二無機層，所述第二無機層設置在所述第一無機層上；

電子束處理層，所述電子束處理層形成在所述無機層上；以及

有機層，所述有機層形成在所述電子束處理層上。