[發明專利]中介層及包括中介層的半導體封裝體

在審

• 申請號: 201710096194.3
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108022903A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王允方;叢芳

1.一種中介層，其特征在于，包括：

第一介電層，具有上表面及下表面；

導電柱，部分嵌設于所述第一介電層中，所述導電柱的一部分從所述第一介電層的所述下表面突出；

導電環，部分嵌設于所述第一介電層中，所述導電環圍繞所述導電柱，且所述導電環的一部分從所述第一介電層的所述下表面突出；

焊料凸塊，位于所述第一介電層的所述下表面上，其中所述導電柱的所述部分及所述導電環的所述部分皆嵌設于所述焊料凸塊中；以及

重分布層，設置于所述第一介電層的所述上表面上。

2.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述第一介電層的一部分圍繞所述導電柱以分隔所述導電柱及所述導電環。

3.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，進一步包括導電連接體嵌設于所述第一介電層中，其中所述導電連接體連接所述導電柱及所述導電環。

4.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電柱的材料與所述導電環的材料相同。

5.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述重分布層包括第二介電層及嵌設于所述第二介電層中的互連結構。

6.如權利要求5所述的中介層，其特征在于，所述導電柱貫穿所述第一介電層，且接觸所述互連結構。

7.如權利要求5所述的中介層，其特征在于，所述導電環貫穿所述第一介電層，且接觸所述第二介電層。

8.如權利要求5所述的中介層，其特征在于，所述導電環貫穿所述第一介電層，且接觸所述互連結構。

9.如權利要求5所述的中介層，其特征在于，進一步包括微凸塊設置于所述重分布層上，所述微凸塊接觸所述互連結構。

10.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電柱具有平面，所述平面與所述第一介電層的所述上表面共平面。

11.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電環具有平面，所述平面與所述第一介電層的所述上表面共平面。

12.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電柱的第一高度大于、等于或小于所述導電環的第二高度。

13.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電環的高度大于所述第一介電層的厚度。

14.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電環為圓環形、多邊環形或是不規則環形。

15.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電柱的材料包括銅、鉻、鎳、鋁、金、銀、鎢、鈦、錫、鉑、鈀、氮化鈦、鈦鎢、鎳釩或鉻銅。

16.如權利要求1所述的中介層，其特征在于，所述導電環的材料包括銅、鉻、鎳、鋁、金、銀、鎢、鈦、錫、鉑、鈀、氮化鈦、鈦鎢、鎳釩或鉻銅。

17.一種半導體封裝體，其特征在于，包括：

如權利要求1所述的中介層；

微凸塊，設置于所述重分布層上；以及

晶片，設置于所述微凸塊上，所述重分布層包括第二介電層及嵌設于所述第二介電層中的互連結構，所述微凸塊接觸所述互連結構。

18.如權利要求17所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第一介電層的一部分圍繞所述導電柱以分隔所述導電柱及所述導電環。