[發明專利]一種g?C3N4納米片的制備方法在審
| 申請號： | 201710090818.0 | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN106732739A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 徐光青;范程控;苗繼琳;呂珺;劉家琴;吳玉程 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | B01J27/24 | 分類號： | B01J27/24;B01J35/02 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 c3n4 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：以含氮基團有機物為原料，首先采用酸化法對原料進行處理，再通過高溫煅燒獲得，具體步驟如下：
(1)將原料置于酸溶液中浸泡，過濾后清洗并烘干；
(2)將酸化處理的原料進行高溫煅燒，獲得所需的g-C3N4納米片。
2.如權利要求1所述的g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述原料為三聚氰胺、尿素和氰胺中的至少一種。
3.如權利要求1所述的g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述酸溶液為硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸中的至少一種，濃度為0.1-5mol/L，浸泡時間為2-10h。
4.如權利要求1所述的g-C3N4納米片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述高溫煅燒的煅燒溫度為500-600℃，時間為1-4h。
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