[發(fā)明專(zhuān)利]氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710088364.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106847955B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 臧志剛;李存龍;韓層;唐孝生 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 重慶大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/032 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/032;H01L31/18;H01S5/30 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275 | 代理人: | 趙榮之 |
| 地址: | 400044 重*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鋅納米顆粒 薄膜 鈣鈦礦 修飾 光探測(cè)器 微激光器 制備 載流子 半導(dǎo)體材料 薄膜致密性 光譜發(fā)射 激光激發(fā) 光響應(yīng) 開(kāi)關(guān)比 兩步法 一步法 側(cè)邊 膜層 應(yīng)用 覆蓋率 改進(jìn) | ||
1.一種氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜,其特征在于,由一步法或兩步法中的一種方法制備;
所述一步法具體為:將氧化鋅納米顆粒加入CsPbBr3前驅(qū)液中至所述氧化鋅納米顆粒均勻分散于所述CsPbBr3前驅(qū)液中,再將含有氧化鋅納米顆粒的CsPbBr3前驅(qū)液旋涂于基底上,退火處理后,制得氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜;所述含有氧化鋅納米顆粒的CsPbBr3前驅(qū)液中氧化鋅納米顆粒的濃度為60-180mg/mL;所述退火處理具體為在60-100℃下加熱0.5-10h;
所述兩步法具體為:將氧化鋅納米顆粒加入PbBr2溶液中至所述氧化鋅納米顆粒均勻分散于所述PbBr2溶液中,再將含有氧化鋅納米顆粒的PbBr2溶液旋涂于基底上,在60-100℃下加熱0.5-10h退火處理后,制得氧化鋅納米顆粒修飾的PbBr2薄膜;將所述氧化鋅納米顆粒修飾的PbBr2薄膜浸入CsBr溶液中5min-10h,取出所述氧化鋅納米顆粒修飾的PbBr2薄膜170-250℃下加熱10-30min進(jìn)行退火處理,制得氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜;所述含有氧化鋅納米顆粒的PbBr2溶液中氧化鋅納米顆粒與PbBr2的摩爾比為1:10-3。
2.如權(quán)利要求1所述的一種氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜,其特征在于,一步法中,所述CsPbBr3前驅(qū)液的制備方法具體為:按摩爾比為1:1將CsBr粉末、PbBr2粉末加入二甲基亞砜中混勻制得CsPbBr3前驅(qū)液。
3.如權(quán)利要求1所述的一種氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜,其特征在于,兩步法中,所述CsBr溶液的濃度為10-70mg/mL。
4.由1-3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的一種氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜在微激光器中的應(yīng)用。
5.如權(quán)利要求4所述的應(yīng)用,其特征在于,所述微激光器包括基底層和包覆層,所述基底層和包覆層之間設(shè)置有氧化鋅納米顆粒修飾的鈣鈦礦CsPbBr3薄膜,所述基底層的材料為玻璃或硅中的一種,所述包覆層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯或二氧化硅中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





