[發明專利]適用于射頻電路中的帶隙基準電路

有效

• 申請號: 201710086247.3
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106681417B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 孫楷添;季惠才;蔣穎丹;張沁楓;劉雪蓮;吳舒桐
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 總裝工程兵科研一所專利服務中心32002
• 代理人: 楊立秋

1.一種適用于射頻電路中的帶隙基準電路，其特征是：包括用于與電源Vdd連接的自啟動電路(110)以及與所述自啟動電路(110)連接的基準電路(120)，所述基準電路(120)與緩沖器負載輸出電路(130)連接；

在自啟動電路(110)上電啟動后，自啟動電路(110)能對基準電路(120)充電，在基準電路(120)內的電壓穩定后，自啟動電路(110)關斷，且基準電路(120)能產生與溫度無關的輸出電流Iref，緩沖器負載輸出電路(130)根據輸出電流Iref輸出大小和擺幅穩定的電壓；

所述基準電路(120)包括與電源Vdd連接的電阻R6、電阻R7以及電阻R8，電阻R8的一端與電源Vdd連接，電阻R8的另一端與晶體管Q4的發射極端連接，電阻R7的一端與電源Vdd連接，電阻R7的另一端與晶體管Q5的發射極端連接，電阻R6的一端與電源Vdd連接，電阻R6的另一端與晶體管Q6的發射極端連接；

晶體管Q4的基極端與晶體管Q5的基極端、晶體管Q5的集電極端、晶體管Q6的基極端以及晶體管Q3的集電極端連接，晶體管Q4的集電極端與自啟動電路(110)、晶體管Q1的集電極端以及晶體管Q3的基極端連接，晶體管Q3的發射極端與晶體管Q1的基極端、電阻R1的一端以及晶體管Q2的基極端連接，晶體管Q1的發射極端、電阻R1的另一端均與地Vee連接，晶體管Q2的發射極端通過電阻R2與地Vee連接，在晶體管Q6的集電極端得到輸出電流Iref；

所述緩沖器負載輸出電路(130)包括電阻R5以及電阻R4，電阻R5的一端與電源Vdd連接，電阻R5的另一端與晶體管Q10的集電極端連接，電阻R4的一端與電源Vdd連接，電阻R4的另一端與晶體管Q11的集電極端連接，晶體管Q10的發射極端、晶體管Q11的發射極端均與晶體管Q12的集電極端連接，晶體管Q12的基極端接收根據輸出電流Iref得到的偏置電壓Vbias，晶體管Q12的發射極端通過電阻R3與地Vee連接，晶體管Q10的集電極端形成第一電壓輸出端Vout1，晶體管Q11的集電極端形成第二電壓輸出端Vout2。

2.根據權利要求1所述的適用于射頻電路中的帶隙基準電路，其特征是：所述自啟動電路(120)包括電阻R9，電阻R9的一端與電源Vdd連接，電阻R9的另一端與晶體管Q9的集電極端、晶體管Q9的基極端、晶體管Q8的基極端以及晶體管Q8的集電極端連接，晶體管Q9的發射極端與晶體管Q7的集電極端、晶體管Q7的基極端連接，晶體管Q7的發射極端與地Vee連接；晶體管Q8的發射極端與電容C1的一端連接，電容C1的另一端與地Vee連接；且晶體管Q8的發射極端與電容C1連接后形成與基準電路(120)連接的自啟動輸出端。