[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710083750.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107170368B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙尹衡;吳敏鎬;金鐘祐;文智永;李承宰;朱寧澈;河載興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng);田野 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:顯示基底,包括至少一個(gè)臺(tái)階部;薄膜包封層,位于顯示基底上方,所述薄膜包封層包括構(gòu)造為減少由于至少一個(gè)臺(tái)階部引起的高度差異的緩沖層和位于緩沖層上方的阻擋層,緩沖層包括多個(gè)子層和位于多個(gè)子層之間的界面,界面包括從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分從凹面形狀變?yōu)橥姑嫘螤畹膹澢砻妗?/p>
本申請(qǐng)要求于2016年3月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0027699號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的方面涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著視覺(jué)上表現(xiàn)各種電信號(hào)信息的顯示領(lǐng)域快速發(fā)展,引入了具有諸如纖薄外形、重量輕、功耗低的優(yōu)異特性的各種平板顯示裝置,此外,正在研究和開(kāi)發(fā)柔性顯示裝置。
具有纖薄外形和柔性特性的顯示裝置可以包括薄膜包封層以阻擋來(lái)自外部的水分和/或氧氣等的滲透。通常的薄膜包封層具有無(wú)機(jī)層和有機(jī)層交替堆疊的構(gòu)造。然而,因?yàn)橛袡C(jī)層和無(wú)機(jī)層在不同的腔室中通過(guò)不同的工藝制造,所以制造薄膜包封層的工藝是復(fù)雜的,并且在腔室之間轉(zhuǎn)移期間會(huì)將雜質(zhì)引入薄膜包封層中,導(dǎo)致薄膜包封層受損。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實(shí)施例的方面針對(duì)一種顯示裝置,所述顯示裝置包括具有諸如纖薄外形、重量輕、功耗低的期望的(例如,優(yōu)異的)特性的薄膜包封層,并且所述薄膜包封層是通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝制造的。
另外的方面部分地將在以下的描述中闡述,并且部分地通過(guò)該描述將是清楚的或者可以通過(guò)實(shí)施所提出的實(shí)施例而了解。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例,提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:顯示基底,包括至少一個(gè)臺(tái)階部;薄膜包封層,位于顯示基底上方,所述薄膜包封層包括構(gòu)造為減少由于至少一個(gè)臺(tái)階部引起的高度差異的緩沖層和位于緩沖層上方的阻擋層,緩沖層包括多個(gè)子層和位于多個(gè)子層之間的界面,界面包括從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分從凹面形狀變?yōu)橥姑嫘螤畹膹澢砻妗?/p>
在實(shí)施例中,多個(gè)子層中的每個(gè)具有從大約至大約的厚度。
在實(shí)施例中,在臺(tái)階部的外部中的界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距朝向顯示基底增大。
在實(shí)施例中,界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分減小。
在實(shí)施例中,緩沖層在與臺(tái)階部分隔開(kāi)的位置處具有第一厚度,在與臺(tái)階部疊置的位置處具有第二厚度,其中,第二厚度大于等于第一厚度的大約0.5倍,并且小于第一厚度的大約1倍。
在實(shí)施例中,多個(gè)子層包括具有碳和氫的氧化硅,基于硅、氧和碳的原子總數(shù),多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約20至大約50原子%的硅、大約10至大約40原子%的氧和大約30至大約60原子%的碳。
在實(shí)施例中,多個(gè)子層中的每個(gè)包括第一區(qū)域和位于第一區(qū)域上方的第二區(qū)域,第二區(qū)域的上表面形成多個(gè)界面中的一個(gè)界面,第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的硅含量比例大的硅含量比例,第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的碳含量比例小的碳含量比例。
在實(shí)施例中,基于硅、氧和碳的原子總數(shù),多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約30至大約40原子%的硅、大約18至大約28原子%的氧和大約40至大約50原子%的碳。
在實(shí)施例中,基于硅、氧和碳的原子總數(shù),多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約33至大約36原子%的硅、大約20至大約23原子%的氧和大約42至大約45原子%的碳。
在實(shí)施例中,顯示基底包括基礎(chǔ)基底和位于基礎(chǔ)基底上方的顯示部分,顯示部分包括多個(gè)顯示元件和限定多個(gè)顯示元件的發(fā)光區(qū)域的像素限定層,至少一個(gè)臺(tái)階部包括像素限定層。
在實(shí)施例中,顯示裝置還包括位于顯示部分上方的保護(hù)層,保護(hù)層包括與緩沖層的材料相同的材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





