[發(fā)明專利]包括天線的半導(dǎo)體裝置

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• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN107093598A
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N-H·哈伊恩;A·巴赫提;V·許貝爾;T·基爾格;D·邁爾;G·邁爾-貝格;F-X·米爾赫鮑爾;S·特羅塔;C·韋希特爾;M·沃伊諾夫斯基
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01Q1/22
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 周家新,蔡洪貴

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體芯片；

位于半導(dǎo)體芯片的第一側(cè)上的再分布層，所述再分布層電耦合到半導(dǎo)體芯片；

介電層；以及

位于介電層上的天線；

其中，介電層位于天線與半導(dǎo)體芯片之間。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

側(cè)向包圍半導(dǎo)體芯片的包封材料。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

電耦合到再分布層的多個(gè)焊料球。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

位于介電層與半導(dǎo)體芯片之間的導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，導(dǎo)電層電耦合到再分布層。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，天線電耦合到半導(dǎo)體芯片。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，天線電磁耦合到半導(dǎo)體芯片。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述天線包括：偶極天線、折疊偶極天線、環(huán)形天線、矩形環(huán)天線、貼片天線或共面貼片天線。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

側(cè)向包圍半導(dǎo)體芯片的包封材料；

其中，再分布層位于半導(dǎo)體芯片的第一側(cè)和包封材料上，以及

其中，介電層位于半導(dǎo)體芯片的與第一側(cè)相反的第二側(cè)上。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體芯片通過再分布層、穿過包封材料的第一過孔和穿過介電層的第二過孔電耦合到天線。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

位于介電層與半導(dǎo)體芯片之間的導(dǎo)電層。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)電層中的凹槽電磁耦合到天線。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，導(dǎo)電層通過穿過包封材料的過孔電耦合到再分布層。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，導(dǎo)電層直接電耦合到焊料球，所述焊料球的直徑大于半導(dǎo)體芯片的厚度與再分布層的厚度之和。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，介電層位于半導(dǎo)體芯片的與第一側(cè)相反的第二側(cè)上，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

位于介電層與半導(dǎo)體芯片之間的導(dǎo)電層，其中，半導(dǎo)體芯片通過再分布層和穿過介電層的過孔連接結(jié)構(gòu)電耦合到天線。

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

側(cè)向包圍半導(dǎo)體芯片的包封材料；

其中，再分布層位于半導(dǎo)體芯片的第一側(cè)和包封材料上，以及

其中，再分布層位于介電層與半導(dǎo)體芯片之間。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述再分布層包括導(dǎo)電層。

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)電層中的凹槽電磁耦合到天線。

19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

位于半導(dǎo)體芯片的與第一側(cè)相反的第二側(cè)上的散熱器；以及

耦合到所述散熱器的焊料球。

20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述天線包括：偶極天線、折疊偶極天線、環(huán)形天線、矩形環(huán)天線、貼片天線或共面貼片天線。

21.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體芯片鄰近耦合到天線。

22.一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：

制作嵌入式晶片級球柵陣列封裝體，所述嵌入式晶片級球柵陣列封裝體包括由包封材料側(cè)向包圍的射頻半導(dǎo)體芯片和位于半導(dǎo)體芯片和包封材料上的再分布層；

制作載體，所述載體包括介電材料、位于介電材料的第一側(cè)上的天線以及位于介電材料的與第一側(cè)相反的第二側(cè)上的導(dǎo)電層；以及

將嵌入式晶片級球柵陣列封裝體附連到載體上，使得導(dǎo)電層位于介電材料與半導(dǎo)體芯片之間。

23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，將嵌入式晶片級球柵陣列封裝體附連到載體上包括：經(jīng)由芯片附連箔將嵌入式晶片級球柵陣列封裝體附連到載體上。