[發(fā)明專利]一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710080630.8
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN106874220A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙鑫鑫;姜凱;李朋;尹超
• 申請（專利權(quán)）人: 濟南浪潮高新科技投資發(fā)展有限公司
• 主分類號: G06F12/1009
• 分類號: G06F12/1009;G06F12/0882
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司37100
• 代理人: 姜明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及NAND FLASH控制器和IC設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。

背景技術(shù)

NAND-FLASH內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND-FLASH存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

當前NAND FLASH陣列控制大多使用一級page地址映射，每個芯片的每個page都需要頂層模塊分別進行控制，頂層模塊地址管理復雜且效率低。由于地址映射沒有層次，為支持文件隨機刪除，需要NAND FLASH控制器設(shè)計磨損均衡和垃圾回收模塊，設(shè)計難度大。

針對存儲芯片陣列的一級page地址映射，本發(fā)明提出了一種NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種簡單高效的NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。

本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）根據(jù)NAND FLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；

（2）NAND FLASH陣列控制器接收上級命令并解析；

（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；

若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對應的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；

若為寫入命令，則判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；

（4）根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應的page地址映射表，執(zhí)行操作；

（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌?/p>

所述步驟（1）中，NAND FLASH陣列規(guī)格為16x4時，為16片NAND FLASH芯片并行，4級流水的存儲陣列，每片NAND FLASH芯片有32000個block，每個block有256個page；

一級block地址映射表規(guī)格為32000個地址條目和一個當前操作block地址指針條目，每個地址條目內(nèi)有兩部分，文件名和block地址映射及當前block是否可寫入標志位，當前操作block地址指針條目存儲當前正在操作的block地址；

二級page地址映射表有32000x64個部分，即每個芯片的每個block一個page地址映射表，每個page地址映射表單元有256個地址條目和一個當前操作page地址指針條目，每個地址條目包含頁地址和物理地址映射信息，當?shù)刂分羔樦赶蜃詈笠粋€page時，向上級block地址映射表發(fā)送信息，將當前block標記為不可寫入。

所述步驟（3）中，若為寫入命令，判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，若為新文件或當前block為不可寫入，向下一個block寫入，若為舊文件且當前block為可寫入，向個芯片當前block地址發(fā)送寫入命令。

本發(fā)明的有益效果是：該NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不同文件不混用block，且支持block地址的動態(tài)排隊，在NAND FLASH控制器不設(shè)計磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機刪除功能，不僅地址管理簡單，而且兼容性強，執(zhí)行效率高，具有廣闊的應用前景。

附圖說明

附圖1為本發(fā)明NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明進行詳細的說明。應當說明的是，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

該NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，包括以下步驟：

（1）根據(jù)NAND FLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；