[發明專利]一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現方法在審
| 申請號: | 201710080630.8 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN106874220A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 趙鑫鑫;姜凱;李朋;尹超 | 申請(專利權)人: | 濟南浪潮高新科技投資發展有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/1009 | 分類號: | G06F12/1009;G06F12/0882 |
| 代理公司: | 濟南信達專利事務所有限公司37100 | 代理人: | 姜明 |
| 地址: | 250100 山東省濟南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 nandflash 陣列 二級 地址 映射 實現 方法 | ||
1.一種NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)根據NAND FLASH陣列規格確定二級地址映射,確定block地址映射表規格和page地址映射表規格;
(2)NAND FLASH陣列控制器接收上級命令并解析;
(3)根據解析出的命令,執行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令;
若為讀命令或擦除命令,則查詢block地址映射表,找出文件對應的blcok地址,從低block地址向高block地址循環,向存儲芯片陣列發送讀或擦除命令;
若為寫入命令,則判斷當前文件是否為新文件,查詢當前block地址是否為可寫入,根據多種條件,向存儲芯片陣列發送不同block地址寫入數據命令;
(4)根據上級發送來的block地址和操作命令和數據,查詢該block對應的page地址映射表,執行操作;
(5)循環執行上述流程,直到完成整個文件讀取、擦除或寫入操作。
2.根據權利要求1所述的NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現方法,其特征在于:所述步驟(1)中,NAND FLASH陣列規格為16x4時,為16片NAND FLASH芯片并行,4級流水的存儲陣列,每片NAND FLASH芯片有32000個block,每個block有256個page;
一級block地址映射表規格為32000個地址條目和一個當前操作block地址指針條目,每個地址條目內有兩部分,文件名和block地址映射及當前block是否可寫入標志位,當前操作block地址指針條目存儲當前正在操作的block地址;
二級page地址映射表有32000x64個部分,即每個芯片的每個block一個page地址映射表,每個page地址映射表單元有256個地址條目和一個當前操作page地址指針條目,每個地址條目包含頁地址和物理地址映射信息,當地址指針指向最后一個page時,向上級block地址映射表發送信息,將當前block標記為不可寫入。
3.根據權利要求1任意一項所述的NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現方法,其特征在于:所述步驟(3)中,若為寫入命令,判斷當前文件是否為新文件,查詢當前block地址是否為可寫入,若為新文件或當前block為不可寫入,向下一個block寫入,若為舊文件且當前block為可寫入,向個芯片當前block地址發送寫入命令。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于濟南浪潮高新科技投資發展有限公司,未經濟南浪潮高新科技投資發展有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710080630.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





