[發明專利]一種增強半導體工藝中補值精確性的方法

在審

• 申請號: 201710079124.7
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN106783697A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 王立斌;曹秀亮;康軍;杜天倫
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于包括：

第一步驟：執行前道制程，并且獲取所述前道制程的數據；獲取的所述前道制程的數據即前道量測數據；

第二步驟：從所述前道制程的數據中舍棄一個或者多個異常數據點；

第三步驟：利用舍棄一個或者多個異常數據點之后的前道制程數據計算平均值；

第四步驟：利用所述平均值作為后道制程補值的基礎。

2.根據權利要求1所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，所述增強半導體工藝中補值精確性的方法用于分柵快閃存儲器制造工藝。

3.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中，通過數據計算，從所述前道制程的數據中舍棄一個或者多個異常數據點。

4.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中，將相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出預定倍數標準方差的數據點作為異常數據點。

5.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，所述預定倍數介于2至2.5倍之間。

6.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中，在第二步驟中從獲取的所述前道制程的數據中直接去除相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出預定倍數標準方差的數據點。。

7.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中，在第二步驟中，將相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出2倍標準方差的數據點作為異常數據點。

8.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中從獲取的所述前道制程的數據中直接去除相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出2倍標準方差的數據點。

9.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中，將相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出2.5標準方差的數據點作為異常數據點。

10.根據權利要求1或2所述的增強半導體工藝中補值精確性的方法，其特征在于，在第二步驟中從獲取的所述前道制程的數據中直接去除相對于第一步驟獲取的所述前道制程的數據的平均值超出2.5標準方差的數據點。