[發(fā)明專利]裝置封裝件以及用于形成裝置封裝件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710073702.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107068627B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃育智;戴志軒;鄭余任;陳志華;陳玉芬;蔡豪益;劉重希;余振華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 封裝 以及 用于 形成 方法 | ||
本揭露實(shí)施例涉及一種裝置封裝件以及一種用于形成裝置封裝件的方法,其中,該裝置封裝件包含傳感器裸片;一或多個(gè)額外裸片,其相鄰于所述傳感器裸片;以及模塑料,其圈住所述傳感器裸片及所述一或多個(gè)額外裸片。所述裝置封裝件進(jìn)一步包含重布層,所述重布層在所述傳感器裸片、所述一或多個(gè)額外裸片、及所述模塑料上方。所述重布層包含第一導(dǎo)電構(gòu)件,所述第一導(dǎo)電構(gòu)件在第一介電層中。所述第一導(dǎo)電構(gòu)件電連接所述傳感器裸片到所述一或多個(gè)額外裸片。所述重布層進(jìn)一步包含電極陣列,所述電極陣列在第二介電層中且電連接到所述傳感器裸片,所述第二介電層是在所述第一介電層上方。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭露涉及一種裝置封裝件以及一種用于形成裝置封裝件的方法。
背景技術(shù)
由于用戶裝置變得更小且更便于攜帶,讓有不軌企圖的人變得更容易竊取用戶裝置。當(dāng)這些裝置攜帶用戶的敏感數(shù)據(jù),除非已有放置阻障到用戶裝置中,否則竊賊可能能夠存取這些數(shù)據(jù)。一但這種阻障是指紋傳感器,其可用以讀取試圖存取裝置的人的指紋,且如果所述指紋與使用者的指紋不相同,存取可能被拒絕。
然而,由于用戶裝置諸如手機(jī)變得更小,對(duì)于在用戶裝置內(nèi)個(gè)別組件的各者也同時(shí)看到大小減小上有壓力。因此,對(duì)于減少含有指紋傳感器的指紋封裝件的大小但沒有看到性能減少而言有壓力。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一實(shí)施例,一種裝置封裝件包含傳感器裸片;一或多個(gè)額外裸片,其相鄰于所述傳感器裸片;以及模塑料,其圈住所述傳感器裸片及所述一或多個(gè)額外裸片。所述裝置封裝件進(jìn)一步包含重布層,所述重布層在所述傳感器裸片、所述一或多個(gè)額外裸片、及所述模塑料上方。所述重布層包含第一導(dǎo)電構(gòu)件,所述第一導(dǎo)電構(gòu)件在第一介電層中。所述第一導(dǎo)電構(gòu)件電連接所述傳感器裸片到所述一或多個(gè)額外裸片。所述重布層進(jìn)一步包含電極陣列,所述電極陣列在第二介電層中且電連接到所述傳感器裸片,所述第二介電層在所述第一介電層上方。
根據(jù)另一實(shí)施例,一種裝置封裝件包含傳感器裸片;模塑料,其沿著所述傳感器裸片的側(cè)壁延伸;以及第一介電層,其在所述傳感器裸片及所述模塑料上方。所述裝置封裝件進(jìn)一步包含電極陣列,所述電極陣列在所述第一介電層中且電連接到所述傳感器裸片。所述電極陣列側(cè)向延伸超過所述傳感器裸片。所述裝置封裝件進(jìn)一步包含手指驅(qū)動(dòng)環(huán),所述手指驅(qū)動(dòng)環(huán)在所述第一介電層中且圈住所述電極陣列。所述手指驅(qū)動(dòng)環(huán)電連接到所述傳感器裸片。
根據(jù)又一實(shí)施例,一種用于形成半導(dǎo)體裝置的方法包含囊封傳感器裸片及一或多個(gè)額外裸片在模塑料中,沉積第一介電層在所述模塑料、所述傳感器裸片、及所述一或多個(gè)額外裸片上方,以及形成導(dǎo)電構(gòu)件在所述第一介電層中。所述導(dǎo)電構(gòu)件電連接所述傳感器裸片到所述一或多個(gè)額外裸片。所述方法進(jìn)一步包含沉積第二介電層在所述第一介電層及所述導(dǎo)電構(gòu)件上方,以及形成電極陣列在所述第二介電層上方。所述電極陣列電連接到所述傳感器裸片。所述方法進(jìn)一步包含沉積第三介電層在所述電極陣列上方,以及附接傳感器表面材料到所述第三介電層。
附圖說明
本揭露的方面將在與隨附圖式一同閱讀下列詳細(xì)說明下被最佳理解。請(qǐng)注意,根據(jù)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)作法,各種特征未依比例繪制。事實(shí)上,為了使討論內(nèi)容清楚,各種特征的尺寸可刻意放大或縮小。
圖1A及1B根據(jù)一些實(shí)施例繪示指紋傳感器裝置封裝件的剖面圖;
圖2A及2B根據(jù)一些其它實(shí)施例繪示指紋傳感器裝置封裝件的剖面圖;
圖3A至3C根據(jù)一些實(shí)施例繪示指紋傳感器裝置封裝件的部分的俯視圖;
圖4A至4E根據(jù)一些其它實(shí)施例繪示指紋傳感器裝置封裝件的部分的俯視圖;
圖5A至5S根據(jù)一些實(shí)施例繪示制造指紋傳感器裝置封裝件的中間階段的剖面圖;以及
圖6A至6G根據(jù)一些其它實(shí)施例繪示制造指紋傳感器裝置封裝件的中間階段的剖面圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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