[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710072369.7
• 申請日: 2017-02-09
• 公開（公告）號: CN108417526B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 鄭二虎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11517
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成多個柵極疊層結構；

在所述半導體襯底和柵極疊層結構上形成層間介電層；

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述層間介電層，以在所述柵極疊層結構之間形成接觸孔，在所述干法刻蝕中刻蝕室內的壓力隨時間的變化而變化，其中，所述壓力隨時間的變化呈正弦函數變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力的變化范圍為P-△P到P+△P，所述P的范圍為15毫托-40毫托。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述壓力的變化幅度△P的范圍為大于2毫托。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力隨時間變化的周期大于10秒。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力隨時間變化的時間為整數個周期。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕中的刻蝕氣體包括C_xF_y。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括稀釋氣體。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述稀釋氣體包括氧氣。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成多個柵極疊層結構的步驟之后，在所述形成層間介電層的步驟之前，所述方法還包括在所述半導體襯底和多個柵極疊層結構上形成接觸孔刻蝕阻擋層。