[發(fā)明專利]硅片的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710068794.9
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN108400081A
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙厚瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

1.一種硅片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一硅片；

對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行磨削，所述硅片的第一面和第二面均形成由邊緣至中心逐漸增厚的形貌；

將所述硅片吸附于一吸盤裝置，所述硅片的第二面與所述吸盤裝置接觸，對所述硅片的第一面進(jìn)行研磨；

將所述硅片翻轉(zhuǎn)并吸附于所述吸盤裝置，所述硅片的第一面與所述吸盤裝置接觸，對所述硅片的第二面進(jìn)行研磨，形成碗狀結(jié)構(gòu)的硅片；

對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化；

在所述硅片的第一面或第二面上外延生長外延層。

2.如權(quán)利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化之后，還包括：

對所述硅片的第一面進(jìn)行最終平坦化，所述外延層外延生長于所述硅片的第一面上。

3.如權(quán)利要求2所述硅片的制作方法，其特征在于，所述硅片的第一面的中心凹陷，所述硅片的第二面的中心凸起，所述外延層外延生長時形成由邊緣至中心逐漸凸起的形貌。

4.如權(quán)利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化之后，還包括：

對所述硅片的第二面進(jìn)行最終平坦化，所述外延層外延生長于所述硅片的第二面上。

5.如權(quán)利要求4所述硅片的制作方法，其特征在于，所述硅片的第一面的中心凹陷，所述硅片的第二面的中心凸起，所述外延層外延生長時形成由邊緣至中心逐漸凹陷的形貌。

6.如權(quán)利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行磨削的步驟中，采用研磨輪對所述硅片進(jìn)行物理研磨。

7.如權(quán)利要求6所述硅片的制作方法，其特征在于，所述研磨輪的直徑大于或者等于所述硅片的半徑。

8.如權(quán)利要求1所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化的步驟中，采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化。

9.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行磨削之前或者之后，還包括一磨邊工藝。

10.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行磨削之前和/或之后，還包括一濕法清洗工藝。

11.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第二面進(jìn)行研磨之后，還包括一濕法刻蝕工藝。

12.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化之前，還包括一邊緣平坦化工藝。

13.如權(quán)利要求12所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述邊緣平坦化工藝之后，還包括一濕法清洗工藝。

14.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化之后，還包括一邊緣平坦化工藝。

15.如權(quán)利要求14所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述邊緣平坦化工藝之后，還包括一濕法清洗工藝。

16.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述硅片的制作方法，其特征在于，對所述硅片的第一面和第二面同時進(jìn)行平坦化之后，還包括一濕法清洗工藝。

17.如權(quán)利要求2或4所述硅片的制作方法，其特征在于，在所述最終平坦化之后，還包括一濕法清洗工藝。