[發明專利]間隙填充的工藝方法在審
| 申請號： | 201710068676.8 | 申請日： | 2017-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN107039332A | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發明（設計）人： | 吳建榮;周潔鵬;季偉 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 間隙 填充 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種間隙填充的工藝方法，其特征在于：首先采用亞常壓化學氣相淀積一層熱氧化層，然后再進行HDP CVD填充。
2.如權利要求1所述的間隙填充的工藝方法，其特征在于：所述熱氧化層采用正硅酸乙酯形成。
3.如權利要求1所述的間隙填充的工藝方法，其特征在于：采用亞常壓化學氣相淀積良好的臺階覆蓋特性將間隙側壁及底部填平，修正了凹凸不平的間隙形貌。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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