[發明專利]III族氮化物結晶的制造方法、以及含RAMO4基板

在審

• 申請號: 201710068240.9
• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN107190324A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 岡山芳央;信岡政樹
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B19/02;C30B19/12;C30B29/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 葛凡

1.一種III族氮化物結晶的制造方法，其包括：

準備含RAMO₄基板的基板準備工序，所述含RAMO₄基板具有包含通式RAMO₄所表示的單晶體的RAMO₄基板、以及在所述RAMO₄基板的外延生長面以外的區域形成的保護層，通式中，R表示選自Sc、In、Y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一個或多個二價元素；和

結晶形成工序，在所述含RAMO₄基板的未被所述保護層被覆的區域，通過助熔劑法形成III族氮化物結晶。

2.如權利要求1所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，

所述含RAMO₄基板在所述RAMO₄基板的所述外延生長面上還具有包含III族氮化物的晶種層，

所述結晶形成工序是在所述晶種層上形成所述III族氮化物結晶的工序。

3.如權利要求2所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，

所述含RAMO₄基板在所述RAMO₄基板與所述晶種層之間還具有包含III族氮化物的低溫緩沖層。

4.如權利要求1所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，

在所述含RAMO₄基板中，所述保護層被覆所述RAMO₄基板的側面。

5.如權利要求1所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，

所述含RAMO₄基板在所述保護層與所述RAMO₄基板之間還具有保護層側緩沖層，

所述保護層側緩沖層的線膨脹系數為所述保護層的線膨脹系數與所述RAMO₄基板的線膨脹系數之間的值。

6.如權利要求1所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，

所述通式中的R為Sc，A為Al，M為Mg。

7.一種含RAMO₄基板，其具有：

包含通式RAMO₄所表示的單晶體的RAMO₄基板，通式中，R表示選自Sc、In、Y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一個或多個二價元素；和

在所述RAMO₄基板的外延生長面以外的區域形成的保護層。

8.如權利要求7所述的含RAMO₄基板，其中，

所述保護層被覆所述RAMO₄基板的側面。

9.如權利要求7所述的含RAMO₄基板，其中，

在所述RAMO₄基板的外延生長面上，還具有包含III族氮化物的晶種層。

10.如權利要求9所述的含RAMO₄基板，其中，

在所述RAMO₄基板的外延生長面與所述晶種層之間，還具有包含III族氮化物的低溫緩沖層。

11.如權利要求7所述的含RAMO₄基板，其中，

在所述RAMO₄基板與所述保護層之間，還具有保護層側緩沖層，

所述保護層側緩沖層的線膨脹系數為所述保護層的線膨脹系數與所述RAMO₄基板的線膨脹系數之間的值。

12.如權利要求7所述的含RAMO₄基板，其中，所述通式中的R為Sc，A為Al，M為Mg。