[發明專利]薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法在審
| 申請號： | 201710067648.4 | 申請日： | 2017-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN107046063A | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發明（設計）人： | 觀田康克 | 申請（專利權）人： | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人： | 白麗 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其中，
在第1絕緣膜上形成氧化物半導體層，
在所述氧化物半導體層上形成由鉬或鉬合金構成的第1導電層，
在所述第1導電層上形成第2導電層，
在所述第2導電層上形成抗蝕劑掩模，
利用所述抗蝕劑掩模，對所述第2導電層進行干式蝕刻，由此形成第1導電部及第2導電部。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，
以所述第1導電部及所述第2導電部作為掩模，對所述第1導電層進行濕式蝕刻，形成與所述第1導電部重疊且與所述第1導電部一起形成第1電極的第3導電部、和與所述第2導電部重疊且與所述第2導電部一起形成第2電極的第4導電部。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，通過包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的至少1者的氧化物來形成所述氧化物半導體層。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，使用鉬鎢(MoW)來形成所述第1導電層。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，
在形成所述第2導電層時，
在所述第1導電層上使用鈦(Ti)來形成第1層，
在所述第1層上使用鋁(Al)或鋁合金來形成第2層，
在所述第2層上使用鈦(Ti)來形成第3層，
由所述第1層、所述第2層及所述第3層的層疊體形成所述第2導電層。
6.一種薄膜晶體管，其具備：
配置于第1絕緣膜上的氧化物半導體層；
配置于所述第1絕緣膜及所述氧化物半導體層的上方的第1導電部及第2導電部；
第3導電部，其位于所述第1導電部與所述氧化物半導體層之間，與所述第1導電部和所述氧化物半導體層相接，且與所述第1導電部一起形成第1電極；和
第4導電部，其位于所述第2導電部與所述氧化物半導體層之間，與所述第2導電部和所述氧化物半導體層相接，且與所述第2導電部一起形成第2電極，
所述第1電極和所述第2電極空開間隔而配置，
所述第3導電部及所述第4導電部通過鉬或鉬合金來形成。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述氧化物半導體層通過包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的至少1者的氧化物來形成。
8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述第3導電部及所述第4導電部使用鉬鎢(MoW)來形成。
9.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述第1導電部及第2導電部為層疊體，該層疊體具備配置于所述第3導電層及第4導電層上且使用鈦(Ti)而形成的第1層、配置于所述第1層上且使用鋁(Al)或鋁合金而形成的第2層、和配置于所述第2層上且使用鈦(Ti)而形成的第3層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日本顯示器，未經株式會社日本顯示器許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710067648.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
