[發(fā)明專利]RAMO4基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710066347.X
• 申請日: 2017-02-06
• 公開（公告）號: CN107119320B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鷹巢良史;岡山芳央;石橋明彥;田代功;上田章雄;信岡政樹;領(lǐng)木直矢
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B29/64;C30B25/18;B24B1/00;B24B37/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 葛凡

本發(fā)明的課題在于提供更高品質(zhì)的基板。解決方法為一種RAMO₄基板，其是包含通式RAMO₄所表示的單晶體(通式中，R表示選自Sc、In、Y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一個或多個二價元素)的RAMO₄基板，在至少一面具有外延生長面，所述外延生長面具有有規(guī)則性分布的、相互分離的多個劈開面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及RAMO₄基板及其制造方法。

背景技術(shù)

作為包含通式RAMO₄所表示的單晶體(通式中，R表示選自Sc、In、 Y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一個或多個二價元素)的RAMO₄基板之一，已知ScAlMgO₄基板。 ScAlMgO₄基板被用作GaN等氮化物半導(dǎo)體的生長基板(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。圖1是示出專利文獻(xiàn)1記載的以往的ScAlMgO₄基板的制造方法的例子。如圖1所示，以往的ScAlMgO₄基板是通過將ScAlMgO₄塊體材料劈開而制造的。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-178448號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，僅僅劈開的話難以得到具有所期望的表面形狀的RAMO₄基板。因此，需要更高品質(zhì)的基板。也就是說，本發(fā)明的目的在于提供更高品質(zhì)的基板。

用于解決問題的手段

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種RAMO₄基板，其是包含通式 RAMO₄所表示的單晶體(通式中，R表示選自Sc、In、Y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一個或多個二價元素)的RAMO₄基板，在至少一面具有外延生長面，所述外延生長面具有有規(guī)則性分布的、相互分離的多個劈開面。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種更高品質(zhì)的RAMO₄基板。

附圖說明

圖1為以往的ScAlMgO₄基板的制造工序的圖。

圖2的圖2A為以往的ScAlMgO₄基板的側(cè)視圖，圖2B為該ScAlMgO₄基板的俯視圖。

圖3為以往的僅通過劈開而形成的外延生長面的平面度測定結(jié)果的圖。

圖4為本發(fā)明的實施方式的ScAlMgO₄基板的制造工序的圖。

圖5為使用2μm金剛石漿料，對ScAlMgO₄劈開面進(jìn)行研磨加工時的平面度測定結(jié)果的圖。

圖6為使用0.125μm金剛石漿料，對ScAlMgO₄劈開面進(jìn)行研磨加工時的平面度測定結(jié)果的圖。

圖7為使用膠態(tài)二氧化硅，對ScAlMgO₄劈開面進(jìn)行研磨加工時的平面度測定結(jié)果的圖。