[發(fā)明專(zhuān)利]用于編程可編程電阻性存儲(chǔ)元件的方法與設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710063984.1
• 申請(qǐng)日: 2017-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108615539B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許凱捷;李峰旻;林昱佑
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C13/00
• 分類(lèi)號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種用以編程可編程電阻存儲(chǔ)單元的方法，該方法包括：

執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)疊代，這些疊代包括：

a)施加一編程脈沖至該存儲(chǔ)單元；

b)在施加該編程脈沖后，第一次驗(yàn)證該存儲(chǔ)單元的電阻是否在一目標(biāo)電阻范圍中；

在該驗(yàn)證通過(guò)的該一個(gè)或多個(gè)疊代的一疊代后，c)施加一穩(wěn)定化脈沖至該存儲(chǔ)單元，該穩(wěn)定化脈沖具有與該編程脈沖相同的極性；以及

d)在施加該穩(wěn)定化脈沖后，第二次驗(yàn)證該存儲(chǔ)單元的電阻是否在一穩(wěn)定化目標(biāo)電阻范圍中，其中該穩(wěn)定化目標(biāo)電阻范圍不同于該第一次驗(yàn)證的該目標(biāo)電阻范圍；

當(dāng)未通過(guò)該第二次驗(yàn)證時(shí)，執(zhí)行包含步驟a)、b)、c)、及d)的疊代直至該第二次驗(yàn)證通過(guò)；

其中，該第一次驗(yàn)證是被執(zhí)行以驗(yàn)證一輸入緩沖器中所識(shí)別的該存儲(chǔ)單元的電阻是否在該目標(biāo)電阻范圍，通過(guò)該第一次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元被識(shí)別或標(biāo)記；

通過(guò)該輸入緩沖器中對(duì)應(yīng)位而識(shí)別出未通過(guò)該第一次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元，通過(guò)一驗(yàn)證緩沖器中對(duì)應(yīng)位而識(shí)別出未通過(guò)該第二次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元；

該輸入緩沖器是被更新以識(shí)別在目前疊代中未通過(guò)該第一次驗(yàn)證或該第二次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中針對(duì)步驟a)及b)的疊代，至少一疊代包含改變編程脈沖的振幅，且其中該穩(wěn)定化脈沖的振幅是驗(yàn)證通過(guò)的一疊代中的該編程脈沖的振幅的函數(shù)，或至少一疊代包含改變編程脈沖的脈沖寬度，且其中該穩(wěn)定化脈沖的脈沖寬度是驗(yàn)證通過(guò)的一疊代中的該編程脈沖的脈沖寬度的函數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，一個(gè)或多個(gè)額外的穩(wěn)定化脈沖系在該穩(wěn)定化脈沖后被施加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中編程該存儲(chǔ)單元的方法為改變?cè)摯鎯?chǔ)單元的電阻值從一低電阻范圍至一高電阻范圍，或者編程該存儲(chǔ)單元的方法為改變?cè)摯鎯?chǔ)單元的電阻值從一高電阻范圍至一低電阻范圍；

其中該存儲(chǔ)單元的一可編程元件包含具有可編程電阻的一金屬氧化物。

5.一種用以執(zhí)行一編程操作于一存儲(chǔ)陣列的多個(gè)存儲(chǔ)單元上的方法，其中一數(shù)據(jù)圖案識(shí)別待被編程的存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元包含相對(duì)的一可編程元件，該方法包括：

a)施加一編程脈沖至該數(shù)據(jù)圖案中所識(shí)別的多個(gè)存儲(chǔ)單元，該編程脈沖具有一第一極性、一振幅、及一脈沖寬度；

b)第一次驗(yàn)證該數(shù)據(jù)圖案中所識(shí)別的這些存儲(chǔ)單元的電阻是否在一目標(biāo)電阻范圍中；

c)施加一穩(wěn)定化脈沖至通過(guò)該第一次驗(yàn)證的這些存儲(chǔ)單元；

執(zhí)行包含步驟a)、b)、及c)的疊代至未通過(guò)該第一次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元，直至所有被識(shí)別的存儲(chǔ)單元通過(guò)該第一次驗(yàn)證；以及

d)在施加該穩(wěn)定化脈沖后，第二次驗(yàn)證通過(guò)該第一次驗(yàn)證的這些存儲(chǔ)單元的電阻是否在一穩(wěn)定化目標(biāo)電阻范圍中，其中該穩(wěn)定化目標(biāo)電阻范圍不同于該第一次驗(yàn)證的該目標(biāo)電阻范圍，且這些疊代包含步驟d)，并進(jìn)一步：

執(zhí)行包含步驟a)至d)的這些疊代直到所有被識(shí)別存儲(chǔ)單元通過(guò)該第一次驗(yàn)證及該第二次驗(yàn)證；

其中，該第一次驗(yàn)證是被執(zhí)行以驗(yàn)證一輸入緩沖器中所識(shí)別的該存儲(chǔ)單元的電阻是否在該目標(biāo)電阻范圍，通過(guò)該第一次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元被識(shí)別或標(biāo)記；

通過(guò)該輸入緩沖器中對(duì)應(yīng)位而識(shí)別出未通過(guò)該第一次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元，通過(guò)一驗(yàn)證緩沖器中對(duì)應(yīng)位而識(shí)別出未通過(guò)該第二次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元；

該輸入緩沖器是被更新以識(shí)別在目前疊代中未通過(guò)該第一次驗(yàn)證或該第二次驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，該方法更包括改變?cè)谶@些疊代的至少一者中的該編程脈沖的振幅及脈沖寬度的其中一者或兩者。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中這些疊代的至少一特定疊代中的該穩(wěn)定化脈沖的振幅是這些疊代的該至少一特定疊代中的該編程脈沖的振幅的函數(shù)，或這些疊代的至少一特定疊代中的該穩(wěn)定化脈沖的脈沖寬度是這些疊代的該至少一特定疊代中的該編程脈沖的脈沖寬度的函數(shù)；

其中該多個(gè)存儲(chǔ)單元中的這些可編程元件包含具有可編程電阻的一金屬氧化物。