[發明專利]用于定向刻劃針和用于刻劃玻璃襯底的設備和方法

有效

• 申請號: 201710063536.1
• 申請日: 2017-02-03
• 公開（公告）號: CN107021614B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: M·瑤茨;V·普拉珀;J·沃格特
• 申請（專利權）人: 肖特股份有限公司
• 主分類號: C03B33/023
• 分類號: C03B33/023
• 代理公司: 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙) 11418
• 代理人: 彭臻臻;趙飛

1.用于定向刻劃工具以及用于沿著預先確定的刻劃路徑刻劃薄或超薄玻璃襯底以用于刻劃和斷裂分離的方法，其中，切割力為最高1N，所述方法具有下列步驟：

a.提供具有平面表面的玻璃襯底，

b.提供機械式刻劃工具并且使其接近所述玻璃襯底，其中，所述刻劃工具尚未接觸玻璃襯底，

c.將刻劃工具的切割邊緣預先定向成在前進方向上，

d.借助位置檢測方法確定刻劃工具的至少一個切割邊緣的實際位置，所述位置檢測方法包括使用用于發射電磁輻射的輻射源，

e.通過借助使切割邊緣在與玻璃襯底的表面垂直的平面中旋轉和/或通過傾斜切割邊緣以改變其傾斜度而改變切割邊緣的實際取向，來定向刻劃工具，以便使刻劃工具的切割邊緣設置成相對于前進方向所期望的目標取向。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在成功地將刻劃工具的切割邊緣定向到目標取向中之后，刻劃工具的切割邊緣降低至玻璃襯底的表面上的刻劃路徑的區域中并且經受預先確定的切割力。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述切割邊緣沿著計劃的刻劃路徑相對于玻璃襯底的待刻劃的表面運動，以產生刻痕。

4.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述位置檢測方法包括使用探測器，以用于接收在所述刻劃工具處反射的電磁輻射。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述探測器是光電探測器。

6.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述輻射源包括點式光源。

7.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述輻射源布置在前進方向上并且適應于照射所述刻劃工具的所述至少一個切割邊緣，以用于檢測所述切割邊緣的幾何結構相對于刻劃路徑以及相對于玻璃襯底的待刻劃的表面的實際取向。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述光電探測器布置并且適應于用于檢測在切割邊緣處反射的電磁輻射的至少一部分。

9.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述刻劃工具包括刻劃針。

10.根據權利要求中9所述的方法，其中，所述刻劃針是具有刻劃金剛石的刻劃針。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻劃針在所述切割邊緣的區域中具有尖的截頂形狀。

12.根據權利要求中9所述的方法，其中，所述刻劃針在所述切割邊緣的區域中具有金字塔截頂、四面體截頂或八面體截頂的形狀。

13.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述玻璃襯底包括薄玻璃，其具有最大為400μm的厚度。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述玻璃襯底是超薄玻璃。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述薄玻璃具有最大為150μm的厚度。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述薄玻璃具有最大為100μm的厚度。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述薄玻璃具有最大為50μm的厚度。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述薄玻璃具有最大為30μm的厚度。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，所述薄玻璃具有最大為20μm的厚度。