[發明專利]鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法

在審

• 申請號: 201710060965.3
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN106702462A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 孫嵐;弓程;林昌健
• 申請（專利權）人: 廈門大學;廈門大學深圳研究院
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26;C25D9/04;C25D5/50;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙)35200
• 代理人: 馬應森

1.鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將基底進行表面清潔預處理；

2)配制HF水溶液作為電解液，以金屬為對電極，基底為工作電極，進行電化學陽極氧化處理，在基底表面構筑TiO₂納米管陣列膜，然后對膜層進行熱處理；

3)配制La濃度為0.01～0.05mol/L、Fe/La濃度比為1︰(1～3)的前驅體溶液，攪拌得到均勻的溶液；

4)將步驟2)所得的TiO₂納米管陣列膜放入步驟3)配制的溶液中，以TiO₂納米管陣列膜為工作電極，Pt電極為對電極進行電沉積，取出樣品后干燥，得復合膜層；

5)將步驟4)得到的復合膜層進行熱處理，即得到鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列。

2.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述基底采用純鈦或鈦合金。

3.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述清潔預處理采用丙酮、乙醇和去離子水對基底表面進行超聲清洗。

4.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述HF水溶液的質量百分濃度為0.2％～2.0t％。

5.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述金屬為鉑；所述電化學陽極氧化處理的電壓為15～30V，時間為0.5～1.5h。

6.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述熱處理的溫度為400～600℃，熱處理的時間為1～3h；所述TiO₂納米管陣列膜為高度有序、尺寸可控的TiO₂納米管陣列膜。

7.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述前驅體溶液是用硝酸鑭和硝酸鐵配制。

8.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟4)中，所述電沉積的電流密度為-20～-80mA/cm²，電沉積的時間為5～30min。

9.如權利要求1所述鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于在步驟5)中，所述熱處理的溫度為400～600℃，熱處理的時間為1～3h。

10.如權利要求1～8所述制備方法制備的鐵酸鑭納米顆粒修飾的二氧化鈦納米管陣列。