[發明專利]包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片及其應用

有效

• 申請號: 201710060545.5
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN106653888B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 吳俊桃;趙燕;陳全勝;王燕;陳偉;劉堯平;徐鑫;杜小龍
• 申請（專利權）人: 北京普揚科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 北京鼎承知識產權代理有限公司11551
• 代理人: 張波濤,管瑩

1.一種包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片，所述硅片表面隨機分布有倒四棱錐組，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長的比為1.2-4.4∶1的倒四棱錐；所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形，其特征在于：所述倒四棱錐選自下列倒四棱錐中的一種或多種：

1)一種高與底邊邊長的比為1.2-1.5∶1之間的倒四棱錐；

2)和/或一種高與底邊邊長的比為1.9-2.3∶1之間的倒四棱錐；

3)和/或一種高與底邊邊長的比為2.5-3.1∶1之間的倒四棱錐；

4)和/或一種高與底邊邊長的比為3.2-3.7∶1之間的倒四棱錐；

5)和/或一種高與底邊邊長的比為4.0-4.4∶1之間的倒四棱錐；所述多晶硅片的制備方法，其包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子，即得；所述酸性制絨液中包含0.5-10mmol/L的銀離子、10-200mmol/L的銅離子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H₂O₂；其中，銀離子和銅離子的摩爾比為1∶5-100。

2.根據權利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長的比在1.2-1.5∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在100nm-600nm之間。

3.根據權利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長的比在1.9-2.3∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-450nm之間。

4.根據權利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長的比在2.5-3.1∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-500nm之間。

5.根據權利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長的比在3.2-3.7∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在70nm-500nm之間。

6.根據權利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長的比在4.0-4.4∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-550nm之間。

7.一種權利要求1-6任一項所述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片的制備方法，其包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子，即得；所述酸性制絨液中包含0.5-10mmo1/L的銀離子、10-200mmol/L的銅離子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H₂O₂；其中，銀離子和銅離子的摩爾比為1∶5-100。

8.根據權利要求7所述的多晶硅片的制備方法，其特征在于，所述酸性制絨液中優選包含1-10mmol/L的銀離子、20-180mmol/L的銅離子、2-6mol/L的HF和0.3-5mol/L的H₂O₂。

9.根據權利要求7所述的多晶硅片的制備方法，其特征在于，銀離子和銅離子的摩爾比為1∶10-60。

10.權利要求1-6任一項所述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片在太陽能電池中的應用。