[發明專利]基板處理裝置以及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710059927.6
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107026108B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 中田高行;谷山智志;白子賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孫明軒

本發明提供一種使基板處理裝置小型化的基板處理裝置以及半導體器件的制造方法，該基板處理裝置具備：移載室，其將基板移載到基板保持件上；上部氣體供給機構，其從第1氣體供給口向移載室內的上部區域供給氣體；和下部氣體供給機構，其與上部氣體供給機構的下方相鄰地設置，并從第2氣體供給口向移載室內的下部區域供給氣體，上部氣體供給機構具有：第1緩沖室，其形成在第1氣體供給口的背面；第1管道，其在第1緩沖室的兩側面形成有一對；和第1送風部，其設置在第1管道的下端，下部氣體供給機構具有：第2緩沖室，其形成在第2氣體供給口的背面；第2管道，其形成在第2緩沖室的下表面；和第2送風部，其設置在第2管道的下端。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置以及半導體器件的制造方法。

背景技術

通常，半導體器件的制造工序中使用的立式基板處理裝置會在處理晶圓的處理室的下方配置用于進行晶圓向基板保持件的裝填及取出的移載室。在移載室內，沿著一側的側壁設置有清潔單元。通過從清潔單元向移載室內吹出清潔空氣，而在移載室內形成氣流(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開2002-175999號公報

然而，在基于上述以往技術的移載室的結構中，存在難以使基板處理裝置小型化的情況。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠使基板處理裝置小型化的技術。

根據本發明的一個方式，提供一種基板處理裝置，其具備：

移載室，其將基板移載到基板保持件上；

上部氣體供給機構，其從第1氣體供給口向所述移載室內的上部區域供給氣體；和

下部氣體供給機構，其與所述上部氣體供給機構的下方相鄰地設置，并從第2氣體供給口向所述移載室內的下部區域供給氣體，

所述上部氣體供給機構具有：

第1緩沖室，其形成在第1氣體供給口的背面；

第1管道，其在所述第1緩沖室的兩側面形成有一對；和

第1送風部，其設置在所述第1管道的下端，

所述下部氣體供給機構具有：

第2緩沖室，其形成在第2氣體供給口的背面；

第2管道，其形成在所述第2緩沖室的下表面；和

第2送風部，其設置在所述第2管道的下端。

根據本發明的另一個方式，提供一種半導體器件的制造方法，其具有：

在移載室內將基板移載至基板保持件上的工序；和

在處理室內處理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，

在所述移載的工序中，從上部氣體供給機構向所述移載室內的上部區域供給氣體，并從下部氣體供給機構向所述移載室內的下部區域供給氣體，其中，所述上部氣體供給機構具有：形成在第1氣體供給口的背面的第1緩沖室；在所述第1緩沖室的兩側面形成有一對的第1管道；和在所述第1管道的下端設置有一對的第1送風部，所述下部氣體供給機構具有：形成在第2氣體供給口的背面的第2緩沖室；形成在所述第2緩沖室的下表面的第2管道；和設置在所述第2管道的下端的第2送風部，并與所述上部氣體供給機構的下方相鄰地設置。

發明效果

根據本發明，能夠使基板處理裝置小型化。

附圖說明

圖1是表示本發明的一個實施方式中適用的基板處理裝置的概要結構例的立體透視圖。