[發(fā)明專利]基板處理裝置以及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710059927.6
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107026108B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中田高行;谷山智志;白子賢治
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;孫明軒

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備：

移載室，其將基板移載到基板保持件上；

上部氣體供給機構(gòu)，其從第1氣體供給口向所述移載室的上部區(qū)域供給氣體；和

下部氣體供給機構(gòu)，其與所述上部氣體供給機構(gòu)相鄰地設(shè)置在所述上部氣體供給機構(gòu)的下方，并從第2氣體供給口向所述移載室的下部區(qū)域供給氣體，

在所述基板保持件上所保持的所述基板的下方設(shè)有絕熱部，所述移載室的上部區(qū)域是與所述基板保持件的所述基板所處的基板區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，所述移載室的下部區(qū)域是與所述基板保持件的所述絕熱部所處的絕熱部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，

所述上部氣體供給機構(gòu)具有：

第1緩沖室，其形成在第1氣體供給口的背面；

第1管道，其在所述第1緩沖室的兩側(cè)面形成有一對；和

第1送風(fēng)部，其設(shè)置在所述第1管道的下端，

所述下部氣體供給機構(gòu)具有：

第2緩沖室，其形成在第2氣體供給口的背面；

第2管道，其形成在所述第2緩沖室的下表面；和

第2送風(fēng)部，其設(shè)置在所述第2管道的下端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1送風(fēng)部以與一對所述第1管道對應(yīng)的方式在所述第1管道的下端設(shè)置有兩個，

所述第2送風(fēng)部設(shè)置在兩個所述第1送風(fēng)部之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1緩沖室比所述第2緩沖室大。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1管道從所述第1緩沖室的上端沿著所述第2緩沖室的兩側(cè)面延伸至所述第2管道的下端的位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第2管道在主視下形成為漏斗狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1管道以朝向上方而截面積逐漸變小的方式形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述第1氣體供給口以及所述第2氣體供給口中的至少一個氣體供給口上設(shè)置有風(fēng)向部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，所述風(fēng)向部具有：

第3氣體供給口，其在所述風(fēng)向部的整個面上形成；和

第3緩沖室，其形成在所述第3氣體供給口的背面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第3氣體供給口比所述第1氣體供給口大。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第3氣體供給口通過具有多個開口的沖孔部件形成，

在所述第3氣體供給口的中央部和所述中央部的兩側(cè)部具有不同的開口率。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，所述中央部的開口率比所述兩側(cè)部的開口率高。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，所述中央部的面積為與所述第1供給口相同的面積。

13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有：

在移載室將基板移載至基板保持件上的工序；和

在處理室處理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，

從上部氣體供給機構(gòu)向所述移載室的上部區(qū)域供給氣體，并從下部氣體供給機構(gòu)向所述移載室的下部區(qū)域供給氣體，其中，所述上部氣體供給機構(gòu)具有：形成在第1氣體供給口的背面的第1緩沖室；在所述第1緩沖室的兩側(cè)面形成有一對的第1管道；和在所述第1管道的下端設(shè)置有一對的第1送風(fēng)部，所述下部氣體供給機構(gòu)具有：形成在第2氣體供給口的背面的第2緩沖室；形成在所述第2緩沖室的下表面的第2管道；和設(shè)置在所述第2管道的下端的第2送風(fēng)部，并與所述上部氣體供給機構(gòu)相鄰地設(shè)置在所述上部氣體供給機構(gòu)的下方，所述移載室的上部區(qū)域是與所述基板保持件的所述基板所處的基板區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，所述移載室的下部區(qū)域是與設(shè)于所述基板保持件的下方的絕熱部所處的絕熱部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。