[發明專利]承載基板與其封裝結構,及半導體封裝元件的制作方法有效
| 申請號: | 201710058635.0 | 申請日: | 2017-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN108172561B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 陳嘉成;邱士超;范植文;米軒皞;林俊賢 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;史瞳 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 與其 封裝 結構 半導體 元件 制作方法 | ||
1.一種用于半導體封裝的承載基板,包含一片承載片、一層基體,及一層強化層;其特征在于:
該基體設置于該承載片上,并包括一線路區,及一位于該線路區的外側的非線路區;及
該強化層設置于該非線路區上;
其中,該強化層反向該承載片的一頂面高于該線路區反向該承載片的一表面,且該基體能夠剝離該承載片。
2.根據權利要求1所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:該基體包括一層防焊層,及一層線路層,該防焊層具有一界定出一線路空間的內防焊部,及一外防焊部,該線路層形成于該線路空間,該內防焊部與該線路層共同構成該線路區,且該外防焊部構成該非線路區。
3.根據權利要求2所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:還包含一層設置于該外防焊部上的導電層,該強化層設置于該導電層上。
4.根據權利要求3所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:該外防焊部反向該承載片的一表面與該線路層反向該承載片的一表面等高。
5.根據權利要求3所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:該導電層反向該承載片的一表面與該線路層反向該承載片的一表面等高。
6.根據權利要求3所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:該強化層與該導電層的構成材料為金屬。
7.根據權利要求2所述的用于半導體封裝的承載基板,其特征在于:該強化層設置于該外防焊部上,且該強化層的構成材料為絕緣高分子材料。
8.一種半導體封裝結構,其特征在于:該半導體封裝結構包含一如權利要求1至7中任一項所述的用于半導體封裝的承載基板、至少一晶片,及一封裝膠,該晶片電連接于該線路區,該封裝膠覆蓋部分該線路區并包覆該晶片。
9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其特征在于:該強化層與該封裝膠彼此相間隔。
10.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其特征在于:該強化層與該封裝膠彼此相連接。
11.一種半導體封裝元件的制作方法,其特征在于:該半導體封裝元件的制作方法包含一準備步驟、一轉移步驟、一強化層形成步驟,及一導電層移除步驟,該準備步驟是準備一承載單元,該承載單元包括一第一承載片、一位于該第一承載片上的導電層,及一位于該導電層上的基體,該基體包括一線路區,及一位于該線路區的外側的非線路區,該轉移步驟是將該基體反向該第一承載片的一表面連接至一第二承載片上,并移除該第一承載片,使該導電層露出,該強化層形成步驟是在該非線路區的該導電層上形成一強化層,使該強化層反向該第二承載片的一頂面高于該基體反向該第二承載片的一表面,該導電層移除步驟是移除未形成有該強化層于其上的部分該導電層,使該線路區的該表面露出。
12.根據權利要求11所述的半導體封裝元件的制作方法,其特征在于:還包含一實施于該導電層移除步驟之后的晶片設置步驟,將至少一晶片電連接于該線路區上。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝元件的制作方法,其特征在于:還包含一實施于該晶片設置步驟之后的封裝步驟,以一絕緣高分子材料覆蓋部分該線路區并包覆該晶片。
14.根據權利要求13所述的半導體封裝元件的制作方法,其特征在于:還包含一實施于該封裝步驟后的承載片移除步驟,移除連接在該基體上的該第二承載片。
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