[發(fā)明專(zhuān)利]一種背照式圖像傳感器及其制造方法和電子裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710058602.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108346672A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚國(guó)峰;陸玨;張海芳;劉煊杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供包括像素區(qū)的第一晶圓，所述第一晶圓包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；

提供第二晶圓并將所述第二晶圓與所述第一晶圓的第一表面相接合；

在與所述像素區(qū)相對(duì)的所述第二表面中形成若干間隔的深溝槽；

在所述深溝槽的表面形成隔離層；

形成填充所述深溝槽的導(dǎo)電材料層，以與所述隔離層和所述第一晶圓形成電容器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔離層包括襯墊層和位于所述襯墊層上方的絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度小于所述深溝槽深度的一半。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓包括襯底，所述深溝槽形成于所述襯底中，所述深溝槽的深度至少大于所述襯底厚度的一半，所述深溝槽的深寬比至少大于4。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層使用金屬材料，以形成金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括主體層和間隔設(shè)置于所述主體層中的若干網(wǎng)格開(kāi)口，所述網(wǎng)格開(kāi)口露出所述隔離層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的所述網(wǎng)格開(kāi)口中嵌入有濾色鏡。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓至少還包括位于所述像素區(qū)一側(cè)的邏輯區(qū)，在所述邏輯區(qū)中形成有嵌入介電層中的金屬互連層和焊盤(pán)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓包括襯底，所述深溝槽形成于所述襯底中，在所述襯底表面和所述深溝槽中形成所述隔離層之后、填充所述深溝槽之前所述方法還包括：

圖案化與所述邏輯區(qū)相對(duì)的所述襯底和所述襯底上的所述隔離層，以形成開(kāi)口并露出所述介電層；

在所述隔離層上和所述開(kāi)口的表面形成絕緣層；

圖案化所述開(kāi)口中的所述絕緣層和所述介電層，以形成凹槽并露出所述金屬互連層；

在所述絕緣層上形成所述導(dǎo)電材料層，以覆蓋所述隔離層，同時(shí)填充所述深溝槽和所述凹槽，以與所述金屬互連層形成連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述開(kāi)口的方法包括：

在所述襯底和所述隔離層上形成光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層圖案化，以去除所述邏輯區(qū)上方的所述光刻膠層；

對(duì)所述第一晶圓、所述第二晶圓和所述光刻膠層進(jìn)行烘焙；

將烘焙后的所述第一晶圓上的所述襯底進(jìn)行蝕刻，以形成所述開(kāi)口。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述烘焙的溫度為150攝氏度至240攝氏度，所述烘焙時(shí)間為60秒至300秒。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述開(kāi)口的側(cè)壁傾斜角度小于50°，所述開(kāi)口的寬度大于50μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電材料層之后，所述方法還包括：

在所述導(dǎo)電材料層上形成圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述導(dǎo)電材料層，以在所述像素區(qū)上方形成所述金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，同時(shí)去除所述金屬互連層外側(cè)的所述絕緣層上方的所述導(dǎo)電材料層，以露出所述絕緣層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，露出所述絕緣層之后所述方法還包括：

圖案化所述邏輯區(qū)中所述焊盤(pán)層上方的所述絕緣層和所述介電層，以形成焊盤(pán)開(kāi)口并露出所述焊盤(pán)層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓為器件晶圓，所述第二晶圓為支撐晶圓。