[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710056204.0
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN106997868B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設計）人: 門井圣明
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L23/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;陳嵐

提供能夠檢查中空構造的空間的內壓的變化的半導體裝置。半導體裝置（1）由在內部具有空間的中空類型的封裝件構成，在半導體裝置（1）的表面具備能夠檢查內部空間的狀態(tài)的壓力量度（2）。壓力量度（2）由以直角相交的多個直線構成，因此通過測定交點間的尺寸變化，能夠確認內壓有無變化。

技術領域

本發(fā)明涉及具有中空構造并在其內部搭載半導體元件的半導體裝置。

背景技術

在圖11示出現有類型的具有中空構造的半導體裝置的截面圖。在現有類型的中空構造的半導體裝置11中，在其表面形成有期望的電氣電路的半導體元件12，配置在引線框的一部分即島部（island）16。而且，半導體元件12和外部端子14經由金線13電連接。蓋材料15由金屬構成，以覆蓋半導體元件12及金線13的方式設置在引線框上。

在使這樣的封裝件的內部空間例如成為真空的情況下，采用真空室內利用蓋材料15來密封半導體裝置的方法。另外，在對封裝件的內部空間進行加壓的情況下，采用在加壓室內利用蓋材料15來密封半導體裝置的方法。因此不能知曉密封并完成的半導體裝置的內部空間的真空度或加壓狀況等。少有注意到內部空間的狀態(tài)的變化，例如，因內部空間從真空狀態(tài)變?yōu)榇髿鈮籂顟B(tài)而失去半導體裝置的本來的功能或性能以后才知曉內部空間的狀態(tài)的變化，成為對半導體裝置的故障的對應晚了。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2005－223295號公報。

發(fā)明內容

【發(fā)明要解決的課題】

如上述那樣使內部空間成為真空的半導體裝置的情況下，焊接時的排氣會使真空度惡化。特別是在高真空的半導體裝置中，存在于封裝件內配置稱為吸氣劑的、吸附封裝件內部的氣體的吸附材料的情況，但是來自碳氫化合物等有機物的排氣不能由吸附材料吸附。進而若發(fā)生排氣，則蓋材料、引線框的金屬也會吸收此排氣。因此由于時間的經過所吸收的排氣從金屬再次向內部空間釋放，由此真空度也會惡化。

另外，在對內部空間進行加壓的封裝件中在蓋材料為有機材料等的情況下，隨著時間的經過，加壓氣體成分會滲透到有機材料內部而壓力降低。即便蓋材料使用金屬，如果使用粘接劑也會成為同樣的結果。

即，即便在對內部空間進行減壓、加壓的任一種情況下，由于時間的經過，其壓力發(fā)生變化，但是在具有內部空間的中空類型的半導體裝置中沒有檢測此變化的方法，因此無法理解內部空間的狀態(tài)。

本發(fā)明是鑒于上述不良而成的發(fā)明，提供能夠容易確認內壓的變化的中空構造封裝件。

【用于解決課題的方案】

為了解決上述課題，在本發(fā)明中采用了以下的方案。

首先，將半導體元件搭載于中空構造的內部的半導體裝置，設為以下述為特征的半導體裝置，即在所述半導體裝置的表面設置測定由于所述中空構造的內壓變化而產生的形狀應變的壓力量度（measure）。

另外，設為以下述為特征的半導體裝置，即所述壓力量度由正交的多個直線或曲線構成。

另外，設為以下述為特征的半導體裝置，即所述壓力量度設置在所述半導體裝置的上面或側面。

另外，設為以下述為特征的半導體裝置，即第1面的厚度比其他面薄。

進而，設為以下述為特征的半導體裝置，即所述壓力量度具備第1壓力量度及第2壓力量度。

【發(fā)明效果】

如以上那樣，在具有內部空間的中空類型的半導體裝置中，在半導體裝置表面設置壓力量度，通過檢查該壓力量度，能夠以非破壞方式知曉內部空間的狀態(tài)。

附圖說明