[發明專利]晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201710053952.3
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107116710B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 進藤良二;二村公康;福田正樹
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;B24B27/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 盧曼;魯煒

本發明提供一種晶片的制造方法，該方法具備：邊向移動中的金屬線列供給漿料，邊使保持單晶錠的保持裝置相對于金屬線列相對地下降，從而將單晶錠切斷的切斷工序；以及，使保持裝置相對于金屬線列相對地上升，從而將切斷后的單晶錠從金屬線列中拔出的拔出工序，拔出工序中以100mm/min以上的速度使保持裝置相對地上升。

技術領域

本發明涉及晶片的制造方法。

背景技術

以往，已知使用線鋸的晶片的制造方法(例如參照文獻1：日本特開2009-142912號公報)。

在文獻1的方法中，通過邊向移動中的金屬線列(ワイヤ列)供給漿料(slurry)，邊使保持單晶錠的保持裝置(holding means)下降，從而將單晶錠切斷，然后通過邊使金屬線列以2m/min以下的速度移動，邊使保持裝置以5~100mm/min的速度上升，從而將切斷后的單晶錠(以下稱為“切斷后錠”)從金屬線列中拔出。

但是，文獻1的方法有可能導致晶片表面受損傷。

發明內容

本發明的目的在于提供能夠制造高品質晶片的晶片的制造方法。

本發明人反復進行了深入研究，結果對于上述問題獲得了以下見解。

在使保持裝置下降的同時切斷單晶錠的情況下，漿料進入切斷后錠中的金屬線列所通過的區域(比金屬線列靠下側的區域)。該漿料基本上因重力而向下方移動，但因表面張力而滯留在晶片間，隨著時間的經過，部分漿料固著在晶片上。

當切斷工序結束時，在使保持裝置上升的同時將切斷后錠從金屬線列中拔出。此時，固著在晶片間的漿料(磨粒)被金屬線刮掉，如圖1所示，金屬線列81沿箭頭E的方向移動時，該刮掉的磨粒密集于晶片W間的左下方的區域R。據推測，拔出進一步進行、金屬線8在區域R內移動時，金屬線8將密集于區域R內的磨粒擠壓至晶片W，導致晶片W表面受損傷。

為了抑制晶片W的損傷，需要減少磨粒對晶片W表面施加的擠壓力。施加該擠壓力的原因認為是，在拔出時，移動中的金屬線8沿與晶片W表面正交的方向振動，即金屬線8與晶片間的磨粒接觸而蛇行。

因此，經過反復研究，結果發現，通過增加切斷后錠的拔出速度(保持裝置的上升速度)，增大金屬線8對磨粒施加的與拔出方向為相反方向、即沿著晶片W的表面方向的向下方的力而將磨粒除去，從而可以抑制因與密集于晶片W間的磨粒接觸而造成的金屬線8的蛇行，減少磨粒對晶片W表面施加的擠壓力。

本發明是根據上述見解而完成的。

本發明的晶片的制造方法是通過用線鋸切斷單晶錠來制造晶片的晶片的制造方法，其特征在于，該方法具備：邊向移動中的金屬線列供給漿料，邊使保持上述單晶錠的保持裝置相對于上述金屬線列相對地下降，從而將上述單晶錠切斷的切斷工序；以及，使上述保持裝置相對于上述金屬線列相對地上升，從而將切斷后的單晶錠從上述金屬線列中拔出的拔出工序，上述拔出工序中，以100mm/min以上的速度使上述保持裝置相對地上升。

根據本發明，通過使保持裝置以100mm/min以上這樣的較快速度相對地上升，從而可以增大金屬線對固著于晶片間的漿料的磨粒所施加的向下方的力，將磨粒除去。因此，通過抑制因與密集于晶片間的磨粒接觸而造成的金屬線的蛇形，能夠減少磨粒對晶片表面施加的擠壓力，可以制造表面損傷得到抑制的高品質晶片。

在本發明的晶片的制造方法中，優選的是，上述拔出工序中，使上述金屬線列僅沿一個方向移動。