[發明專利]制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝

有效

• 申請號: 201710048624.4
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106631042B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 于利學;李正闖;于娜;倪赫隆
• 申請（專利權）人: 威海圓環先進陶瓷股份有限公司
• 主分類號: C04B35/584
• 分類號: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64
• 代理公司: 威?？菩菍＠聞账?7202
• 代理人: 鮑光明

1.一種制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于包括以下幾個步驟：

1）在氮化硅粉體中按比例加入燒結助劑，攪拌均勻得到粉體；

2）在得到的粉體中按比例加入有機溶劑后，經研磨混料，制成混合均勻的漿料；

所述漿料pH值為9-10，在行星球磨機中，混磨22h后出料，將其在-0.09Pa條件下真空攪拌除氣，得到固體積含量56%-58%、流速小于30s、8h內不發生沉降的水基陶瓷料漿；

3）將所述水基陶瓷料漿通過噴凝制成陶瓷坯帶，并烘干成固體坯帶，將坯帶裁制成坯片；

4）將坯片送入燒結爐內燒結、冷卻后得到氮化硅陶瓷基板生坯；

5）研磨拋光：將所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨機中進行0.5微米的氮化硅干粉研磨和拋光；

所述的氮化硅陶瓷電路基板的原料按照質量百分比計，由如下組分組成，氮化硅粉體的含量為75%-90%，燒結助劑的含量為3%-5%，有機溶劑的含量為7%-20%；所述的氮化硅粉體的純度在99%以上，平均粒徑為0.4-0.6mm；所述的燒結助劑為氮化鈦；所述的有機溶劑按質量百分比計，由如下組分組成：聚乙烯10%-15%，聚乙烯縮丁醛15%-18％，潤滑劑1%-5%，丙烯酰胺2.5%-10%，熱塑性彈性體0-10%，增塑劑1%-3%，余量為懸浮劑；所述的懸浮劑以有機溶劑的總質量計算，JA-281分散劑10%-13%，N₁N¹-亞甲基雙丙烯酰胺懸浮劑1.25%-5%，去離子水12%-60%。

2.根據權利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于所述的增塑劑為丙三醇或乙二醇。

3.根據權利要求1所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于所述的研磨拋光方法如下：

a.粗磨：所用粗磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度10—80μm，金剛石顆粒圓度為0.4—0.7；

b.精磨：所用精磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度為1—10μm，金剛石顆粒圓度為0.7—0.8；

c.拋光磨：所用拋光磨研磨劑中，金剛石顆粒的粒度為0.01--1μm，金剛石顆粒圓度為0.80—0.85。

4.根據權利要求3所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于所述粗磨研磨劑、精磨研磨劑和拋光磨研磨劑與研磨基質的質量比例為1：1—1：6,所述基質為水。

5.根據權利要求3所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于所述的粗磨研磨劑、精磨研磨劑和拋光磨研磨劑按質量百分比計，其組成都為：金剛石顆粒25%，分散劑74%，氧化鈰0.5%，三聚磷酸鈉0.5%。

6.根據權利要求5所述制作氮化硅陶瓷電路基板的生產工藝，其特征在于所述的分散劑為檸檬酸銨。