[發明專利]控制電容耦合等離子體工藝設備的邊緣環的射頻振幅

有效

• 申請號: 201710048220.5
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN106997842B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: J·羅杰斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種基板支撐件，所述基板支撐件包括：

靜電卡盤，所述靜電卡盤具有嵌入其中的一或多個卡緊電極以便將基板卡緊到所述靜電卡盤；

陶瓷層，所述陶瓷層設置在所述靜電卡盤上方；

陶瓷環，所述陶瓷環繞所述陶瓷層定位；

邊緣環，所述邊緣環與所述陶瓷環和所述陶瓷層接觸，其中所述邊緣環包括凹部，所述凹部形成在所述邊緣環的下表面中，所述凹部限定所述邊緣環與所述陶瓷環的上表面之間的間隙；

電極，所述電極嵌入在所述陶瓷環中；以及

可變電容器，所述可變電容器通過一或多個傳輸線耦接到所述電極。

2.如權利要求1所述的基板支撐件，其特征在于，嵌入在所述陶瓷環內的所述電極是環形的。

3.如權利要求1所述的基板支撐件，其特征在于，所述可變電容器電耦接到接地。

4.如權利要求1所述的基板支撐件，進一步包括：加熱器，所述加熱器定位于所述靜電卡盤與所述陶瓷層之間。

5.如權利要求1所述的基板支撐件，其特征在于，所述陶瓷環包括二氧化硅或氮化硅。

6.如權利要求1所述的基板支撐件，其特征在于，所述間隙減少所述電極與等離子體殼層之間的耦接。

7.如權利要求1所述的基板支撐件，其特征在于，嵌入在所述陶瓷環中的所述電極與所述間隙豎直對準。

8.一種處理腔室，所述處理腔室包括：

腔室主體；

蓋，所述蓋設置在所述腔室主體上；

電感耦合等離子體裝置，所述電感耦合等離子體裝置定位于所述蓋上方；以及

基板支撐件，所述基板支撐件定位于所述腔室主體內，所述基板支撐件包括：

靜電卡盤，所述靜電卡盤具有嵌入其中的一或多個卡緊電極以便將基板卡緊到所述靜電卡盤；

陶瓷層，所述陶瓷層設置在所述靜電卡盤上方；

陶瓷環，所述陶瓷環繞所述陶瓷層定位；

邊緣環，所述邊緣環設置在所述陶瓷環和所述陶瓷層上且與所述陶瓷環和所述陶瓷層接觸，其中所述邊緣環包括凹部，所述凹部形成在所述邊緣環的下表面中，所述凹部限定所述邊緣環與所述陶瓷環的上表面之間的間隙；以及

電極，所述電極嵌入在所述陶瓷環中，所述電極通過一或多個傳輸線耦接到可變電容器。

9.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，嵌入在所述陶瓷環內的所述電極是環形的。

10.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，所述可變電容器電耦接到接地。

11.如權利要求8所述的處理腔室，進一步包括：加熱器，所述加熱器定位于所述靜電卡盤與所述陶瓷層之間。

12.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，所述陶瓷環包括二氧化硅或氮化硅。

13.如權利要求8所述的處理腔室，進一包括：偏壓源，所述偏壓源耦接到所述一或多個卡盤電極；及RF電源，所述RF電源耦接到所述電感耦合等離子體裝置。

14.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，所述一或多個傳輸線是三個傳輸線。

15.如權利要求14所述的處理腔室，其中所述一或多個傳輸線以等間隔耦接到嵌入在所述陶瓷環中的所述電極。

16.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，嵌入在所述陶瓷環中的所述電極具有3毫米至20毫米的寬度。

17.如權利要求8所述的處理腔室，其特征在于，所述間隙減少所述電極與等離子體殼層之間的耦接。