[發(fā)明專利]基于負載的動態(tài)頻率補償方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710047497.6 | 申請日： | 2017-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106647912A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張科;王富中;丁啟源 | 申請（專利權(quán)）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 負載 動態(tài) 頻率 補償 方法 裝置 | ||
1.一種基于負載的動態(tài)頻率補償方法，其特征在于，該方法實現(xiàn)裝置的零點隨負載變化，并補償次極點的變化，從而實現(xiàn)裝置的穩(wěn)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于負載的動態(tài)頻率補償方法，其特征在于，所述裝置的零點和次極點隨負載的增加而增大，或隨負載的減少而減小。
3.一種基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，包括：
電荷泵單元，所述電荷泵單元的輸出端連接分壓模塊；
誤差放大單元，所述誤差放大單元連接所述分壓模塊；
動態(tài)頻率補償單元，所述動態(tài)頻率補償單元的一端連接所述誤差放大單元的輸出端，另一端連接所述電荷泵單元，所述動態(tài)頻率補償單元實現(xiàn)裝置的零點隨負載變化，且補償次極點的變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述零點和次極點隨負載的增加而增大，或隨負載的減小而減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述動態(tài)頻率補償電路包括：
第一NMOS晶體管，漏極連接所述誤差放大單元的輸出端，柵極連接工作電源；
第一電容，所述第一電容的一極連接所述第一NMOS晶體管的源極，另一極連接地端；
第一PMOS晶體管，源極連接工作電源，漏極連接所述電荷泵單元的輸入端，柵極連接所述誤差放大單元的輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述動態(tài)頻率補償電路包括：
第一NMOS晶體管，漏極連接所述誤差放大單元的輸出端，柵極連接工作電源；
第一電容，所述第一電容的一極連接所述第一NMOS晶體管的源極，另一極連接所述電荷泵單元的輸出端；
第一PMOS晶體管，源極連接工作電源，漏極連接所述電荷泵單元的輸入端，柵極連接所述誤差放大單元的輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述電荷泵單元的輸出端為正的電源電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述動態(tài)頻率補償電路包括：
第一PMOS晶體管，源極連接所述誤差放大單元的輸出端，柵極連接地端；
第一電容，所述第一電容的一極連接所述第一PMOS晶體管的漏極，另一極連接地端；
第一NMOS晶體管，源極連接地端，漏極連接所述電荷泵單元的輸入端，柵極連接所述誤差放大單元的輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述動態(tài)頻率補償電路包括：
第一PMOS晶體管，源極連接所述誤差放大單元的輸出端，柵極連接地端；
第一電容，所述第一電容的一極連接所述第一PMOS晶體管的漏極，另一極連接所述電荷泵單元的輸出端；
第一NMOS晶體管，源極連接地端，漏極連接所述電荷泵單元的輸入端，柵極連接所述誤差放大單元的輸出端。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述電荷泵單元的輸出端為負的電源電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于負載的動態(tài)頻率補償裝置，其特征在于，所述分壓單元包括串聯(lián)的第一電阻和第二電阻，所述第一電阻連接所述于所述電荷泵單元的輸出端與所述誤差放大單元的輸入端之間，所述第二電阻連接于所述誤差放大單元的輸入端與地端之間。
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