[發明專利]半導體裝置的散熱結構

有效

• 申請號: 201710045272.7
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107301987B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 大村英一
• 申請（專利權）人: 歐姆龍株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種半導體裝置的散熱結構，所述半導體裝置具有與基板電連接的電性接合面及其相反側的散熱面，所述半導體裝置的散熱結構的特征在于，

所述散熱面經由非絕緣構件而接合至導電性高導熱構件，并且

所述導電性高導熱構件經由第1絕緣構件而接合至散熱零件，

所述導電性高導熱構件的厚度大于所述半導體裝置的厚度，

所述導電性高導熱構件在俯視時小于所述散熱零件，

在所述半導體裝置及所述導電性高導熱構件在俯視時均設為矩形形狀的情況下，所述導電性高導熱構件的各邊的長度大于所述導電性高導熱構件的厚度的兩倍與所述半導體裝置的各邊的長度之和。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的散熱結構，其特征在于，

所述第1絕緣構件在俯視時大于所述導電性高導熱構件。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的散熱結構，其特征在于，

在所述基板與所述導電性高導熱構件之間，以覆蓋所述半導體裝置的外周及所述基板的圖案的至少一部分的方式而配置有第2絕緣構件。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的散熱結構，其特征在于，

所述第2絕緣構件是以占據所述基板與所述散熱零件之間的空間的方式而配置。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的散熱結構，其特征在于，

所述第2絕緣構件具有向所述散熱零件固定用的貫穿孔。

6.根據權利要求3至5中任一項所述的半導體裝置的散熱結構，其特征在于，

所述第2絕緣構件是通過絕緣耐熱性樹脂的成形或切削加工品、絕緣耐熱性的膠帶、絕緣耐熱性樹脂的密封件、或者這些中的任意兩個以上的組合而配置。