[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710045042.0
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN108346566B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 王賢超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L23/053;H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一電極層上形成犧牲層，所述犧牲層具有凹槽，所述凹槽具有尖的底部；

在所述犧牲層上形成第二電極層，所述第二電極層具有露出所述凹槽的第一開口；

形成支撐層以填充所述凹槽和所述第一開口并覆蓋所述第二電極層，其中所述凹槽中填充的支撐層作為阻擋部，所述阻擋部具有尖的底部；

在所述支撐層和所述第二電極層中形成第二開口，所述第二開口使得所述犧牲層露出；

去除所述犧牲層的一部分，從而形成空腔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一電極層上形成犧牲層包括：

在所述第一電極層上形成第一犧牲層，所述第一犧牲層具有延伸到所述第一電極層的第三開口；

沉積第二犧牲層以完全地填充所述第三開口，其中，位于所述第三開口上方的所述第二犧牲層中與所述第三開口對應的部分具有所述凹槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

根據所述阻擋部的目標高度、所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的總的目標厚度調整所述第一犧牲層的厚度、所述第三開口的深寬比和所述第二犧牲層的厚度，以使得所述第二犧牲層完全地填充所述第三開口，并使得所述凹槽的深度等于所述阻擋部的目標高度。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述阻擋部的目標高度、所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的總的目標厚度調整所述第一犧牲層的厚度、所述第三開口的深寬比和所述第二犧牲層的厚度包括：

根據所述阻擋部的目標高度確定所述第一犧牲層的厚度，所述第一犧牲層的厚度大于所述阻擋部的目標高度；

確定所述第三開口的深寬比，并根據所述第三開口的深寬比和所述第一犧牲層的厚度確定所述第三開口的寬度；

根據所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的總的目標厚度以及所述第一犧牲層的厚度確定所述第二犧牲層的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電極層具有貫穿所述第一電極層的通孔。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述犧牲層上形成第二電極層包括：

在所述犧牲層的表面和所述凹槽的表面上沉積第二電極材料層；

對所述第二電極材料層進行圖案化，以去除所述凹槽的表面上的第二電極材料層，剩余的第二電極材料層作為所述第二電極層。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的材料相同或不同。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一犧牲層和/或所述第二犧牲層的材料包括電介質材料。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述電介質材料包括硅的氧化物、硅的氮氧化物或正硅酸乙酯。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電極層和/或所述第二電極層的材料包括多晶硅或單晶硅。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用緩沖氧化物刻蝕液去除所述犧牲層的一部分。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撐層的材料包括硅的氮化物。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽和/或所述第二開口的數量為多個。