[發(fā)明專利]一種微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710042235.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106770430A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王博鋒;胡旭華;周冠麗;周健勇;張兆傳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N25/16 | 分類號(hào): | G01N25/16 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微波 電子槍 膨脹 測(cè)量 裝置 方法 | ||
1.一種微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,包括:
支架,置于電子槍聚束極的上方,其設(shè)有第一圓形孔和第二圓形孔;
第一陶瓷桿,插入所述第一圓形孔中;聚束極的位置變化引起支架的位置變化并隨之帶來第一陶瓷桿的位置變化;
第二陶瓷桿,插入所述第二圓形孔中,通過所述第二圓形孔與電子槍的陰極接觸;
真空裝置,電子槍及支架固定于所述真空裝置中;及
讀數(shù)顯微鏡,置于真空裝置的工作臺(tái)面上,用于記錄第一陶瓷桿和第二陶瓷桿的位置變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,所述真空裝置包括:
真空系統(tǒng),電子槍的熱子與真空系統(tǒng)相連;
石英鐘罩,與橡膠密封圈配合使用并與真空系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)密封的真空連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,所述第一圓形孔為圓形盲孔,所述第二圓形孔為圓形通孔,第一陶瓷桿的下方與所述第一圓形孔底部接觸,第二陶瓷桿下方通過第二圓形孔與電子槍的陰極中心表面處接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,第一陶瓷桿和第二陶瓷桿均采用氧化鋁陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,所述支架為不銹鋼支架。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,還包括:
電氣控制系統(tǒng),與真空系統(tǒng)連接,用于對(duì)電子槍進(jìn)行電流和電壓加載,用于對(duì)真空系統(tǒng)內(nèi)的真空度進(jìn)行監(jiān)測(cè),并對(duì)真空系統(tǒng)和電子槍進(jìn)行控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置,其特征在于,所述電氣控制系統(tǒng)為PLC控制系統(tǒng),所述PLC控制系統(tǒng)包括:真空計(jì)、分子泵電源、穩(wěn)壓電源、離子泵電源、燈絲電源及觸摸顯示屏。
8.一種利用權(quán)利要求3-7任一項(xiàng)所述的微波管電子槍膨脹量測(cè)量裝置的測(cè)量方法,其特征在于,包括以下步驟:
將電子槍及支架固定于真空裝置中,并將支架置于電子槍聚束極的上方,其圓形通孔中心與陰極中心對(duì)齊;
將第一陶瓷桿插入支架的圓形盲孔、將第二陶瓷桿插入支架的圓形通孔,使第一陶瓷桿的下方與所述圓形盲孔底部接觸,第二陶瓷桿下方通過圓形通孔與電子槍的陰極中心表面處接觸;
對(duì)真空裝置抽真空,真空度≤3.0×10-4Pa時(shí),對(duì)電子槍加載電流和電壓,電流變化范圍0-25A;
將讀數(shù)顯微鏡置于真空裝置的工作臺(tái)面上,調(diào)整顯微鏡零位刻度線分別與第一陶瓷桿和第二陶瓷桿的上方在一條水平線上,記錄第一陶瓷桿和第二陶瓷桿的上方在電子槍電流增大過程中的高度變化,根據(jù)第一陶瓷桿和第二陶瓷桿的高度變化和兩者之間的高度差可以分別計(jì)算出陰極、聚束極以及陰極相對(duì)于聚束極的膨脹量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)量方法,其特征在于,還包括以下步驟:
對(duì)真空裝置抽真空之前,將石英鐘罩通過橡膠密封圈與真空系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)密封的真空連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的測(cè)量方法,其特征在于,電子槍加載電流使得陰極表面被加熱,真空裝置中真空度發(fā)生變化,真空度優(yōu)于2×10-4Pa時(shí)逐步加電流1A~2A,防止真空度過低導(dǎo)致陰極中毒。
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