[發明專利]一種用于MnZn鐵氧體燒制的氧化鋯陶瓷承燒板低溫冷燒結制備方法在審
| 申請號: | 201710041619.0 | 申請日: | 2017-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN107473736A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 傅昊洋;王詩陽;朱小碩;李子峰 | 申請(專利權)人: | 王詩陽 |
| 主分類號: | C04B35/48 | 分類號: | C04B35/48;C04B35/66;C04B35/64;C04B35/645;F27D5/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 mnzn 鐵氧體 燒制 氧化鋯 陶瓷 承燒板 低溫 燒結 制備 方法 | ||
一、技術領域:
本發明提出了一種用于MnZn鐵氧體燒制的氧化鋯陶瓷承燒板低溫冷燒結制備方法。
二、技術背景:
高性能MnZn鐵氧體的起始磁導率μi對Zn含量極為敏感。燒結過程中, Zn的燒損將導致μi的下降。Zn的燒損主要源于MnZn鐵氧體燒結磁芯與耐火材料的接觸。因此,用于MnZn鐵氧體燒制承燒板的選材尤為重要。若使用不恰當的承燒板材料,如ZnAl2O4相,與其接觸的磁芯易產生異相結晶,從而影響磁芯產品的外觀與性能。
氧化鋯(ZrO2)陶瓷具有較好的高溫化學穩定性,但純ZrO2陶瓷在1000℃以上會發生單斜相(m-ZrO2)和四方相(t-ZrO2)間的可逆轉變,并伴隨約7%的體積變化,而由體積變化產生的應力易引發材料的破壞。將半徑與Zr+4離子半徑相近的Y2O3摻入ZrO2中,形成的固溶體可抑制ZrO2的相變,降低ZrO2承燒板開裂的可能性。因此,3mol%Y2O3部分穩定的ZrO2(3Y-PSZ)優異的高溫化學穩定性和抗熱震性能使其成為MnZn鐵氧體承燒板的首選材料。
3Y-PSZ陶瓷承燒板的致密度是影響其力學性能和抗熱震性能的關鍵因素。對于陶瓷材料,燒結溫度的提高、保溫時間的延長均有利于其實現致密化;但會導致材料的晶粒尺寸隨之增大(使力學性能等關鍵性能指標不可控),同時,高溫燒結將帶來極大的成本損耗,制約了其在工業上的批量生產。通常來說, 3Y-PSZ陶瓷的燒結溫度高達1100-1500℃。近年來,研究者們對3Y-PSZ陶瓷的低溫燒結工藝進行了不斷的探索。G.Bernard-Granger等人采用放電等離子體燒結(SPS)工藝,在1125℃燒結溫度下,制備了致密度大于90%的PSZ陶瓷。S. Nightingale等人采用微波場燒結工藝,在1500℃燒結溫度下制備了致密度為 96.0%的PSZ陶瓷。M.Mazaheri等人采用兩步燒結(TSS)工藝,兩步燒結最低溫度分別為1300℃和1150℃的條件下,最終制得了致密度大于98.0%的PSZ陶瓷。由此可見,即使采用先進的燒結工藝,致密PSZ陶瓷(>95%)的燒結溫度僅可降至1100-1300℃。
針對3Y-PSZ陶瓷承燒板燒結溫度高、較難實現致密化的問題,本發明提出了一種3Y-PSZ陶瓷承燒板的低溫冷燒結制備方法。選用納米級 (20-50nm)3Y-PSZ粉末為原始粉末,在低于200℃的預燒溫度下獲得PSZ陶瓷的預燒結坯體;隨后,在極低的燒結溫度(≤1100℃)下制備了致密的PSZ陶瓷(致密度>94.0%);制備的PSZ陶瓷具有優異的力學性能和抗熱震性能。該方法工藝簡單、環境友好、能耗極低,可成為用于MnZn鐵氧體燒制的氧化鋯陶瓷承燒板的理想制備方法,具有廣闊的產業化應用前景。
三、發明內容:
本發明的目的是提供了一種用于MnZn鐵氧體燒制的氧化鋯陶瓷承燒板的低溫冷燒結制備方法。具體的說,本發明的技術方案按照以下步驟進行:
1.根據制備ZrO2陶瓷承燒板的尺寸,計算所需3Y-PSZ粉末的質量。將 3Y-PSZ納米級粉末(純度>99.0%,平均粒徑為20-40nm)中加入30wt.%的去離子水,超聲分散并攪拌20-40min,在研缽中研磨10-30min。
2.將步驟1中研磨后的3Y-PSZ漿料倒入模具中,在室溫環境中,在電加熱壓力機上進行冷壓,壓力為350-450MPa,保壓時間為10-20min。此后,保持壓力不變,將加熱溫度升高至180-200℃,升溫速率5-10℃/min,保溫時間為3h。制得PSZ陶瓷的預制坯體。
3.將步驟2中制備的PSZ陶瓷預制坯體移至鼓風干燥箱,200℃烘干 12-18h,使坯體完全干燥。
4.將干燥后的PSZ陶瓷預制坯體進行無壓燒結,制得高致密度的PSZ陶瓷,燒結溫度為1000-1100℃,燒結保溫時間為3-5h,升溫速率為5℃/min,燒結氣氛為氬氣、氮氣或真空。
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