[發明專利]管理存儲區域的方法及固態硬盤

有效

• 申請號: 201710036390.1
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106843762B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 李強;黃華坤;肖曼君;劉文靜
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 劉貽盛

本公開涉及一種管理存儲區域的方法及固態硬盤。采用該方法，對SLC存儲區域和TLC存儲區域各自所存儲的數據的讀寫特征進行分析，以確定出SLC存儲區域包括的多個SLC型存儲單元所存儲的數據的讀寫特征，并確定出TLC存儲區域包括的多個TLC型存儲單元所存儲的數據的讀寫特征。然后，根據確定出的讀寫特征，對SSD包括的SLC存儲區域的大小以及TLC存儲區域的大小動態調整一次或多次，可以使SLC存儲區域和TLC存儲區域各自達到使用壽命的時機盡量一致，避免了一部分存儲單元的使用壽命浪費的問題，延長了SSD的生命周期。

技術領域

本公開涉及數據存儲領域，具體地，涉及一種管理存儲區域的方法及固態硬盤。

背景技術

隨著數據存儲技術的高速發展，越來越多的數據存儲裝置出現在人們使用的電子設備中，例如：SSD(Solid State Drives，固態硬盤)等。SSD因具有讀寫速度快、抗震動、低功耗、無噪音、低熱量、以及質量輕等特點，已被廣泛應用于軍事、車載、工業、醫療、和航空等領域。

目前，可以將SSD包括的多個存儲單元的工作模式設置為SLC模式，以得到SLC型存儲單元，或者設置為TLC模式，以得到TLC型存儲單元。相關技術中的SSD包括：控制器、元數據存儲區域、SLC緩存區域以及TLC存儲區域。相關技術中的SSD所包括的各個存儲區域的形成過程如下：

首先，將SSD的一部分固定存儲區域包括的多個存儲單元的工作模式設置為SLC模式，得到由多個SLC型存儲單元組成的元數據存儲區域，以存儲SSD所存儲的數據的元數據(如映射表、壞塊表等)。然后，將剩余存儲區域中的一部分固定區域包括的多個存儲單元的工作模式也設置為SLC模式，得到由多個SLC型存儲單元組成的SLC緩存區域，以緩存寫入SSD的數據。除元數據存儲區域和SLC緩存區域外剩余的存儲區域包括的所有存儲單元的工作模式保持TLC模式，得到由多個TLC型存儲單元組成的TLC存儲區域，在FTL(Flashtranslation layer；閃存轉換層)的控制下，緩存在SLC緩存區域中的數據被搬移到TLC存儲區域，因而寫入SSD的數據最終被存儲在TLC存儲區域。

然而，TLC型存儲單元的使用壽命約為1000次，SLC型存儲單元的使用壽命可達50000余次。對相關技術中的SSD來說，其所包括的SLC緩存區域與TLC存儲區域各自達到使用壽命的時機通常是不一致的，如果SLC緩存區域先達到使用壽命，則TLC存儲區域雖然可以繼續使用，但是無法實現寫數據加速；如果TLC存儲區域先達到使用壽命，則SLC緩存區域不能繼續使用，因而SSD的生命周期結束，導致一部分存儲單元的使用壽命浪費的問題。

發明內容

本公開的目的是提供一種管理存儲區域的方法及固態硬盤，用以提高SSD的讀寫速度。

為了實現上述目的，本公開提供一種管理存儲區域的方法，應用于固態硬盤SSD，所述方法包括：

確定所述SSD的SLC存儲區域包括的多個SLC型存儲單元所存儲的數據的第一讀寫特征，并確定所述SSD的TLC存儲區域包括的多個TLC型存儲單元所存儲的數據的第二讀寫特征；

根據所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區域與所述SLC存儲區域之間的比例進行調整。

可選地，所述方法還包括：

將所述SSD的用戶數據空間包括的部分存儲單元的工作模式設置為TLC模式，以得到所述TLC存儲區域；

將所述用戶數據空間中除所述部分存儲單元外的剩余存儲單元的工作模式設置為SLC模式，以得到所述SLC存儲區域，其中，請求寫入所述SSD的數據將被存儲在所述SLC存儲區域。

可選地，根據所述第一讀寫特征和所述第二讀寫特征中的至少一個，對所述TLC存儲區域與所述SLC存儲區域之間的比例進行調整，包括：