[發明專利]一種適用于分析共模干擾的三相交流電機高頻模型

有效

• 申請號: 201710035150.X
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN106909713B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 畢闖;李輝;金頂鑫;董亮;李川
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種適用于分析共模干擾的三相交流電機高頻模型，由U、V、W三相繞組電路并聯構成；其特征在于，任一相繞組電路均包括：渦流損耗電阻、線圈寄生電感、匝間效應等效電阻、匝間效應等效電感、匝間效應等效電容、以及繞組前端與定子之間的雜散電容、繞組末端與定子之間的雜散電容，其中，所述渦流損耗電阻與線圈寄生電感并聯形成一個并聯網絡、一端與電機繞組端點相連、另一端與電機中性點相連，所述匝間效應等效電阻、匝間效應等效電感與匝間效應等效電容依次串聯形成一個串聯網絡、一端與電機繞組端點相連、另一端接地，所述繞組前端與定子之間的雜散電容接于電機繞組端點與地之間，所述繞組末端與定子之間的雜散電容接于電機中性點與地之間；

所述三相交流電機高頻模型的模型參數計算過程為：

步驟1：采用拉普拉斯變換，寫出電機高頻模型的s域的阻抗表達式，并對阻抗表達式進行化簡，得到阻抗表達式的分子和分母的階數；具體為：

其中，C₁₁＝3*(C₁+C₄+C₇)、C₂₂＝3*(C₂+C₅+C₈)、C₃₃＝3*(C₃+C₆+C₉)；

R₁＝R₃＝R₅，R₁、R₃、R₅分別為U、V、W三相繞組電路的渦流損耗電阻；

R₂＝R₄＝R₆，R₂、R₄、R₆分別為U、V、W三相繞組電路的匝間效應等效電阻

C₁＝C₄＝C₇，C₁、C₄、C₇分別為U、V、W三相繞組電路的繞組前端與定子之間的雜散電容；

C₂＝C₅＝C₈，C₂、C₅、C₈分別為U、V、W三相繞組電路的繞組末端與定子之間的雜散電容；

C₃＝C₆＝C₉，C₃、C₆、C₉分別為U、V、W三相繞組電路的匝間效應等效電容；

L₁＝L₃＝L₅，L₁、L₃、L₅分別為U、V、W三相繞組電路的線圈寄生電感；

L₂＝L₄＝L₆，L₂、L₄、L₆分別為U、V、W三相繞組電路的匝間效應等效電感；

步驟2：根據實際測試阻抗曲線，在Matlab中進行曲線擬合得到擬合函數表達式，設置擬合函數表達式的分子和分母階數與阻抗表達式的分子與分母的階數相同；所述擬合傳遞函數形式如下：

步驟3：利用參數匹配法，根據阻抗表達式的分子、分母對應階系數和擬合函數表達式的分子、分母對應階系數，得到數學方程組；求解方程組即得到電機高頻模型參數。