[發明專利]一種多孔聚苯硫醚薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201710034298.1 | 申請日: | 2017-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN107057353A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 孟中平 | 申請(專利權)人: | 北京信潤新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C08L81/02 | 分類號: | C08L81/02;C08K9/06;C08K3/36;C08K3/30;C08J5/18;C08J9/28 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 聚苯硫醚 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種薄膜材料及其制備方法,具體涉及屬于一種多孔薄膜材料及其制備方法。
背景技術
聚苯硫醚(PPS)全稱為聚苯基硫醚,是分子主鏈中帶有苯硫基的熱塑性樹脂。PPS大分子鏈由剛性結構的苯環與柔性的硫醚鍵連接,它具有結晶度高、硬而脆、難燃、熱穩定性好、耐化學腐蝕、高溫高濕下尺寸穩定、電性能優良、耐磨性優良和熔融流動性優良等優點。此外,它還具有成型收縮率小(約0.08%),吸水率低(約0.02%),耐震動疲乏性好等優點。熱穩定性,PPS是工程塑料中熱穩定性最好的品種之一,其熱變形溫度一般大于260度;耐化學腐蝕性,PPS樹脂耐化學腐蝕性能可與號稱“塑料之王”的聚四氟乙烯相媲美,在200℃以下,幾乎沒有溶劑能溶解它;尺寸穩定性,PPS注塑制品具有良好的耐蠕變性能,線膨脹系數低,尺寸穩定性十分良好;電性能,PPS具有很低的介電常數、電感應率和介質損耗因素,在高溫、高濕等環境下具有優良的絕緣性和介電特性等;粘接性能,PPS對玻璃、鋁、不銹鋼等有非常高的粘接強度,對玻璃的粘接強度甚至大于玻璃的內聚力,由于具有良好的耐腐蝕性和粘接性能,極宜作化工設備的襯里;另外,PPS自身的化學結構使其具有良好的難燃燒性能,無需加入阻燃劑。由于PPS具有無與倫比的綜合性能,因此在航空航天、核工業、電子電氣等高新技術領域以及機械、汽車、家用電器、辦公自動化等傳統工業領域得到廣泛應用。
PPS優良的綜合性能使其得到了廣泛的應用。目前市面上的PPS薄膜主要有吹塑膜、壓延膜和雙向拉伸膜,由于PPS結晶速度快,硬而脆,所以在利用吹塑法生產的過程中薄膜容易破裂,使得制備的PPS薄膜存在諸多的缺陷;而壓延法是將PPS樹脂經過擠出機擠出,然后送往輥筒,再通過控制輥筒之間的間隙來生產一定厚度的聚苯硫醚薄膜,經壓延法制得的薄膜的表面光滑度和輥筒有直接關系。雖然目前市面上的PPS薄膜具有較小的摩擦系數為0.25~0.43,但是仍然不能作為無油條件下的潤滑材料使用。
發明內容
為了制備出一種具有摩擦系數低、潤滑性能優良的多孔聚苯硫醚薄膜材料,本發明以聚苯硫醚為基體材料,向其中加入二硫化鉬和二氧化硅,其中二硫化鉬摩擦系數低,可作為固體潤滑劑使用,二氧化硅微結構為球形,作為添加劑添加入高聚物中,可提高高聚物的耐磨性能和潤滑性能。
本發明的目的是提供一種多孔聚苯硫醚薄膜,它的具體方案如下:
一種多孔聚苯硫醚薄膜,所述薄膜包括基體材料和填料,所述基體材料為聚苯硫醚,所述填料為二氧化硅和二硫化鉬。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜,優選地,所述聚苯硫醚的重量百分比為70~80%,所述二硫化鉬的重量百分比為15~25%。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜,優選地,所述二氧化硅的重量百分比為2~15%,所述聚苯硫醚的粒徑為20~100μm,所述二硫化鉬的粒徑為1~200μm,所述二氧化硅的粒徑為20~100nm。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜,優選地,所述二氧化硅經表面改性劑處理。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜,優選地,所述表面改性劑為N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷,所述多孔聚苯硫醚薄膜采用噴涂法成型。
本發明的另一個目的是提供一種多孔聚苯硫醚薄膜的制備方法,包括以下步驟:
(1)稱取重量百分比為70~80%聚苯硫醚樹脂,稱取重量百分數為15~25%的二硫化鉬,稱取重量分數為2~15%的二氧化硅,混合;
(2)將混合原料分散在沸點低于100℃的易揮發溶劑中,制得原料分散液;
(3)將制得的原料分散液噴涂在底材上,噴涂過程的氣壓為0~0.5MPa;
(4)將步驟(3)得到的材料燒結,得到多孔聚苯硫醚薄膜中間體;
(5)將多孔聚苯硫醚薄膜中間體置于油液中進行浸油處理。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜的制備方法,優選地,步驟(2)所述溶劑為無水乙醇,分散液按照100g原料加入到100~300mL無水乙醇中的比例配置。
如上所述的一種多孔聚苯硫醚薄膜的制備方法,優選地,步驟(4)中的燒結過程為:由室溫升溫至300~400℃,并在300~400℃保溫10~60min,燒結結束后自由降溫,進一步地,燒結過程的更優條件為:由室溫升溫至350~365℃,并在350~365℃保溫10~30min,燒結結束后自由降溫。
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